首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2篇
  免费   0篇
无线电   2篇
  2010年   1篇
  2009年   1篇
排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
采用TSMC0.18μm 1P6MCMOS工艺设计了一种高性能低功耗采样保持电路。该电路采用全差分折叠增益自举运算放大器和栅压自举开关实现。在3.3V电源电压下,该电路静态功耗仅为16.6mw。在100MHz采样频率时,输入信号在奈奎斯特频率下该电路能达到91dB的SFDR,其有效精度可以达到13位。  相似文献   
2.
这里设计了一款与标准CMOS工艺兼容的基准电压源,该电路应用了高阶曲率补偿,具有很高的温度稳定性.采用0.35 μm BSIM 3V3 CMOS工艺,使用Cadence Spectre软件仿真得出:输出电压1.174 V,在-40~+100 ℃范围内,温度系数仅2 ppm/℃,最大功耗不超过110 μW,最低工作电压1.6 V,可应用于14位Pipeline ADC中.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号