GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触

研究用于GaN基大功率倒装焊(Flip-chip)紫光LED(UV-LED)的高反射率p型欧姆接触的电学和光学性能。用磁控溅射的方法在GaN基LED外延片表面沉积了不同厚度Ag,Al,Au和Pd四种金属,测量了样品的反射率和透射率。结合同步辐射高强度X射线衍射和AFM对金属薄膜的晶体结构进行分析,并对表面形貌进行了观测,对由金属薄膜构成的多层膜结构及其对光反射率的作用机理进行了研究。测量结果表明,在入射光波长为400nm时,Ni/Au/Ag和Ni/Au/Al电极的反射率比Ni/Au的反射率提高了三倍。同时与p-GaN有良好的欧姆接触特性。     

GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化

研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对优化的量子阱结构激光器的漏电流和增益饱和带来的影响进行了研究.     

Optical and Electronic Properties of InGaN／GaN Multi—Quantum—Wells Near—Ultraviolet Lighting—Emitting—Diodes Grown by Low—Pressure Metalorganic Vapour Phase Epitaxy

The near-ultraviolet lighting-emitting-diodes (UV-LEDs) with the InGaN/GaN multi-quantum-well (MQW) structure were grown by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy. The double crystal x-ray diffraction revealed a distinct second-order satellite peak. The near-ultraviolet InGaN/GaN MQW LEDs have been successfully fabricated to emit at 401.2nm with narrow FWHM of 14.3nm and the forward voltage of 3.6 V at 20 mA injection current at room temperature. With increasing forward current from l 0 mA to 50 mA, the redshift of the peak wavelength was observed due to the band-gap narrowing caused by heat generation.     

关于一类拟线性抛物方程解的Blow—up问题

本文利用Ｆｏｕｒｉｅｒ空间的比较原理研究一类拟线性抛物方程解的Ｂｌｏｗ－ｕｐ问题，并给出了其解在有限时刻Ｂｌｏｗ－ｕｐ的条件。     

关于一类拟线性拟抛物方程解的Blow─up问题

本文利用Ｆｏｕｒｉｅｒ空间的比较原理研究一类拟线性拟抛物方程解的Ｂｌｏｗ－ｕｐ问题，并给出了其解在有限时刻Ｂｌｏｗ－ｕｐ的条件。     

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格，激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作. 用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构，电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好. 在透射电镜图中看到了Al, Ga原子的聚居点，这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点. 同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形，这是外延生长导致的.     

一类三阶拟线性发展方程的整体解

本文研究一类三阶拟线性发展方程ｕｔｔ－Δｕｔ＋ｕｔ＝ｎｉ＝１ｘｉσｉ（ｕｘｉ），（ｘ，ｔ）∈Ω×（０，Ｔ）的初边值问题，其中ΩＲｎ（ｎ≥１）为一有界域．证明了只要σｉ（ｓ）∈Ｃ１，σ′ｉ（ｓ）（ｉ＝１，…，ｎ）有界并且初始函数满足一定的条件，则上述问题存在唯一的整体弱解．     

一类非线性发展方程整体解的存在性、渐近性与解的爆破

研究一类非线性发展方程初边值问题整体弱解的存在性，渐近性和解的爆破问题，证明在关于非线性项的不同条件下，上述初边值问题分别在大初值和小初始能量的情况下存在整体弱解，并且讨论了弱解的渐近性。还证明：在相反的条件下，上述弱解在有限时刻爆破，并且给出了一个实例。     

94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较

在采用MOCVD技术生长的GaN膜上制备出MSM紫外光探测器，分别在室温下和94K低温下，测量了探测器对不同光波长的响应、同一光波长下对不同偏压的响应、不同斩波频率下的响应。结果表明，在94K下响应有了很大的改善。当光波长从360nm增加到450nm时，响应下降了3个数量级，而常温下只下降两个数量级，但探测器的时间响应常数变长了。     

AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性

在蓝宝石衬底上,用金属有机物气相沉积(MOCVD)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触.随着退火时间的增加,金属-半导体金属(MSM)结构的I V特性曲线保持良好的对称性,但C V曲线逐渐失去其对称性.MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性,出现明显的光电导增益效应.