提高2Cr13钢汽轮机末级叶片耐蚀性能的研究

对汽轮机未级叶片进气边分别进行了激光直接重熔和激光馆敷镍基会金处理。经组织形貌观察，物相分析及阳极极化曲线测定，结果表明，激光处理后组织细致，硬度提高，耐蚀性也比处理前提高。其中熔敷镍基G112合金的耐蚀性提高特别显著，若激光处理参数恰当，三者比较，徐敷镍基WC105合金更易钝化，耐蚀性最好。     

两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较

报道了采用热壁外延(HWE)技术,在(100),(111)和(211)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较,得出结论:(1)相同取向Si衬底,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好;(2)采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响, (211)面外延的GaAs薄膜质量最好,(100)面次之,(111)面最差.     

Si衬底上热壁外延制备GaAs单晶薄膜材料

报道了采用热壁外延（ＨＷＥ）技术,在Ｓｉ表面生长ＧａＡｓ薄膜。先通过活化剂活化Ｓｉ表面,再采取两步生长法外延ＧａＡｓ单晶薄膜,最后进行断续多层循环退火（ＩＭＣＡ）。经电子探针（ＥＰＭＡ）、Ｒａｍａｎ光谱、Ｈａｌｌ测量和荧光（ＰＬ）光谱测试分析,证实在Ｓｉ表面获得了的４μｍ厚的ＧａＡｓ单晶薄膜。     

东华大学电子信息类教学计划的研究和制定

教学计划是高等学校培养专门人才的总体规划，是高等学校安排教学内容、组织教学过程的基本依据，同时也是教学改革的总体反映。因此，各高校都把制定高质量的人才培养计划作为一项重要工作。本文介绍了东华大学电子信息类教学计划，并在教学计划制定过程中，注重拓宽专业基础课程，优化课程体系，加强实践能力的培养。     

Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除

极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长,普遍选用(100)面Si材料作衬底,外延时由于Ga,As原子占据不合适的晶格位置,通常导致结构缺陷--反相畴产生,而选用(100)面偏向[011]方向4°或(211)面的Si作衬底,可以有效消除反相畴.     

严防作弊出重拳 电波卫士不手软——2012年全国高考无线电安全保障工作侧记

每年的全国高考,都承载着千万考生的期待和梦想,受到全社会的广泛关注。为有效防范和打击利用无线电设备进行考试作弊的违法行为,确保2012年全国高考的顺利进行,根据教育部等十部门及工业和信息化部无线电管理局的统一部署,全国各级无线电管理机构积极配合教育考务主管部门,精心组织,