一种OSL_CLNP的DCC地址编码方案

本文提出了一种符合ＯＳＩ标准的数据国家码（ＤＣＣ）编码方案，以解决互连网际的全网编址问题。这种方案不仅适用于Ｘ．２５广域网和各种局域网的网络互连，而且也适用于任何使用ＯＳＬ＿ＣＬＮＰ协议的网络互连系统。     

电极对薄膜体声波谐振器性能的影响

采用有限元分析软件COMSOL Multiphysics仿真了三维结构的谐振器,探讨了不同的顶电极形状对谐振器性能的影响。有效机电耦合系数(k2teff)随电极-压电层厚度比增大而减小,其中电极形状为三角形的谐振器在厚度比为0.05时获得最大k2teff(5.73%)。品质因数Q值变化趋势与k2teff相反,由三角形电极在厚度比为0.25时,获得最大Q值为1 314。不同电极形状的谐振器的优值随电极-压电厚度比先增大后减小,最大值为65.4,由正方形电极在比值为0.15时获得。     

一种新型SAW气体传感器的设计

提出了将纳米线技术与声表面波(SAW)技术相结合,分别利用纳米线气体敏感材料比表面积高,声表面波传感器质量敏感性高的优点,探索研制新一代声表面波气体传感器。该传感器具有响应速度快,灵敏度高,体积小,质量注和易集成等优点。该文主要从SAW专用芯片的研制、专用纳米线研制、专用纳米线的表面修饰与改性研究、检测电路设计等4方面进行了阐述。理论计算表明,相比传统二维结构的SAW气体传感器,三维纳米线结构的SAW气体传感器的在灵敏度和响应速度上都得到提高。     

ZrO2-TiO2-CeO2的制备及其在NH3选择性催化还原NO中的应用

采用共沉淀法制备了载体材料TiO2、ZrO2-TiO2及ZrO2-TiO2-CeO2, 并利用X射线衍射(XRD)实验、比表面积测定(BET)、程序升温脱附(NH3-TPD)、储氧性能测定(OSC)及程序升温还原(H2-TPR)等方法对三种载体材料进行了表征. 结果表明, ZrO2-TiO2-CeO2具有较多的表面强酸位, 并具有一定的储氧性能和较强的氧化还原性能. 以三种材料为载体, 制备了质量分数分别为1%、9%的V2O5、WO3的整体式催化剂. 研究了三种催化剂在富氧条件下用NH3选择性催化还原NO的催化性能. 结果表明, 以ZrO2-TiO2-CeO2为载体的催化剂在反应空速为10000 h-1, 275 ℃时, NO的转化率接近100%, 具有最好的催化活性,并有良好的应用前景。     

岷江下游五通桥区土壤的铅污染分布格局

在岷江下游五通桥区境内采集了93个土壤样品,分析检测其重金属Pb的含量水平.在ARCGIS等地理信息系统软件的支持下,以地统计学原理等空间分析方法,分析数据的空间自相关特征以及变异函数特征,以讨论流域范围内的Pb污染分布格局.结果表明:研究区的土壤Pb含量水平较背景值增加了14.88%,具有大范围低强度的Pb污染特征;城乡结合部和沿岷江两岸是Pb污染的主要发生区;土壤Pb的分布具有一定的空间异质性,其空间自相关性和分布格局与岷江的地理走向关系密切,初步认为Pb元素有沿岷江向下游迁移的趋势;区域范围内的Pb污染来源较为隐蔽且不确定,具有一定的面源污染特征.     

薄膜体声波谐振器调频工艺研究

薄膜体声波器件具有体积小及性能高等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层等声学层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素。该文分析了FBAR调频的必要性、原理及扫描刻蚀的工作方式,研究了调频层薄膜在不同刻蚀功率时对器件频率的影响。通过对FBAR器件进行调频,频率均匀性提高了6.5倍,频率分散性得到显著改善。     

W波段空间谐波磁控管π/2模品质因数的计算

谐振腔品质因数是描述磁控管特性的重要参数,本文分别采用线路法和场解法对W波段空间谐波磁控管π/2模品质因数进行计算,并与CST仿真结果进行了对比,验证了两种方法的正确性,这为W波段空间谐波磁控管π/2模品质因数的计算提供了理论依据。     

闭环曲率补偿的低电源电压带隙基准源

A new low-voltage CMOS bandgap reference （BGR） that achieves high temperature stability is proposed. It feeds back the output voltage to the curvature compensation circuit that constitutes a closed loop circuit to cancel the logarithmic term of voltage VBE. Meanwhile a low voltage amplifier with the 0.5 μm low threshold technology is designed for the BGR. A high temperature stability BGR circuit is fabricated in the CSMC 0.5μm CMOS technology. The measured result shows that the BGR can operate down to 1 V, while the temperature coefficient and line regulation are only 9 ppm/℃ and 1.2 mV/V, respectively.     

在非晶硅上制备角度可控缓坡的方法

介绍了一种利用光的衍射原理制备角度可控缓坡微结构的方法。该方法在光刻步骤中通过调节掩膜板与基片之间的垂直距离来控制光刻胶图形边缘曝光量,光刻显影后得到剖面为正梯形的光刻胶图形,再经过干法刻蚀得到非晶硅的缓坡微结构。结果表明,制备的非晶硅缓坡结构角度（可小于30°）可控,制备方法简单,与半导体工艺兼容,可避免湿法刻蚀带来的过蚀及角度不均匀问题。     

一类具偏差变元的二阶微分方程周期解

By using the theory of coincidence degree,we study a kind of periodic solutions to second order differential equation with a deviating argument such as x"(t) f(x'(t)) h(x(t))x'(t) g(x(t-τ(t)))=p(t),some sufficient conditions on the existence of periodic solutions are obtained.