Ce在I－69杨根中的吸收、分布及其对其它元素吸收的影响

以重要树种Ｉ－６９杨插穗为材料，分别在含不同水平Ｃｅ（ＮＯ３）３的Ｈｏａｇｌａｎｄ溶液中培养，经过快速冷冻干燥，塑料真空渗透及包埋，用透射电镜能量分散型ｘ射线微区分析法对Ｃｅ及Ｍｇ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ等元素在根尖成熟组织切片的表皮、皮层及中柱内薄壁细胞的细胞壁、细胞质、细胞核及液泡中的含量和分布进行了测定。表明Ｃｅ不但进入植物细胞，且在细胞核里有明显富集。Ｃｅ进入细胞的量和其施用的外界浓度并不完全是正比关系，在体内的分布也不是随机的。Ｃｅ对植物体内Ｍｇ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｆｅ的吸收都有不同程度的促进作用，特别是对Ｐ、Ｓ和Ｋ影响显著，不同浓度的Ｃｅ不仅影响根的发育，也会对离子的吸收、运转及分布产生不同的影响。Ｃｅ对ｃａ的吸收抑制影响不是直接的。     

高效液相色谱法结合一测多评法对隔山消发酵前后3种苯乙酮类化合物含量变化的分析

采用高效液相色谱法结合一测多评法测定了隔山消发酵前后2,4-二羟基苯乙酮、2,5-二羟基苯乙酮和白首乌二苯酮等3种苯乙酮类化合物的含量。分别制备发酵前后的隔山消样品溶液,色谱分析中采用Thermo C18色谱柱作为固定相,用不同比例的水(A)、乙腈(B)和甲醇(C)的混合液作为流动相进行梯度洗脱,达到上述3种组分的良好分离。采用二极管阵列检测器在相同的检测波长(265nm处)分别测定3种组分的峰面积。分别用一测多评法(QAMS)和外标法计算所测定组分的含量,结果表明两种计算方法所得结果相似性极高,据此认为在隔山消发酵前后的样品溶液中各组分的质量评价中采用QAMS是可行的。按上述方法分析了同一批隔山消样品12份,取其中6份经发酵处理,对所得结果的平均值进行了比较,未经发酵的样品溶液中2,4-二羟基苯乙酮的质量分数为0.208mg·g^-1、2,5-二羟基苯乙酮的质量分数为0.152mg·g^-1,与经发酵的样品溶液中的质量分数(2,4-二羟基苯乙酮的质量分数为0.235mg·g^-1、2,5-二羟基苯乙酮的质量分数为0.180mg·g^-1)相比呈升高趋势,而白首乌二苯酮的质量分数由未经发酵样品溶液中的0.678mg·g^-1下降为发酵样品溶液中的0.543mg·g^-1。此外,研究结果还表明,不同含量的2,5-二羟基苯乙酮和白首乌二苯酮相对于2,4-二羟基苯乙酮(参照物)的相对校正因子和相对保留时间基本相同。     

纳米硅薄膜结构分析

在常用的PECVD电容式耦合沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气氛,在r.f.+DC双重功率源激励下制备出具有纳米相结构的硅薄膜.使用HREM,Raman光散射,X射线衍射以及红外和紫外光谱分析手段广泛地检测了其结构特征.指出,纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于具有一系列新的结构特征使它脱颖于熟知的 a-Si:H及 μc-Si:H范畴,从而显示出它自己的独特性能.     

硅基GaN外延层微结构的HREM研究

由于ＧａＮ薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的ＧａＮ单晶薄膜，以便有目的地掺杂ｎ－型和ｐ－型。迄今为止，ＧａＮ生长的极大部分工作为异质外延于蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上，而将...     

铌酸钡钠晶体缺陷的浸蚀法研究

本文用化学浸蚀法显示了Czochralski法生长的BNN晶体中的铁电畴、生长条纹和位错,建立了浸蚀图象与晶体缺陷之间的对应关系.原生晶体中的铁电畴结构由宽度约1微米的交锁带纹状反向铁电畴组成.生长条纹、位错及包裹物等缺陷诱发了特征形态的铁电畴,其中位错诱发的铁电畴较难通过单畴化完全去除.籽晶中位错的延伸、肩部表面沟漕的热应变、包裹物的挤压,以及在过饱和点缺陷作用下螺型位错变为蜷线位错的攀移增殖,是晶体中位错的主要来源.     

ORDER ALLOY IN GexSi1-x/Si(100) STRAINED-LAYER SUPERLATFICES

The Ge_xSi_1-x/Si(100) strained-layer superlattices have been investigated by means of the transmission electron microscopy of the cross-sectional specimen (XTEM) and the high resolution electron microscopy (HREM), The order alloy with a period of modulation twice as large as the lattice constant along <100> zone axis has been found in the alloy layers of the superlattices with x≈0.4-0.5. This order struc-ture makes the superlattices inhomogeneously strained. The result of the compuler simulation shows that the order alloy exhibits an altemating stack of 2 monolayers of Ge atoms and 2 monolayers of Si atoms along the <100> zone axis. Thc calculated elastic strain energy of the disorder alloy reported in the litera-ture is very close to that of the order alloy along <100> zone axis. Thus, during the MBE growth of the alloy layers, both the disorder and order alloys can be formed along <100> zone axis.     

高效液相色谱手性冠醚固定相拆分丙氨酸、正缬氨酸和犬尿氨酸对映体

采用高效液相色谱法在手性冠醚柱上拆分丙氨酸、正缬氨酸和犬尿氨酸3种对映体.使用CROWNPAK CR(+)柱(150 mm×4 mm, 5 μm),以HClO4溶液(pH 1.0)为流动相,柱温20 ℃,流速1.0 mL/min,丙氨酸、正缬氨酸和犬尿氨酸的检测波长分别为200、220和254 nm,3种氨基酸都得到手性拆分.考察了流动相流速、温度及pH对分离的影响,并通过对选择性、保留时间和柱效的考察判断影响分离度的因素.结果表明: 降低温度有助于提高手性选择性,但会降低柱效,从而影响分离度.在0～20 ℃柱温范围内研究了lnk′、lnα与1/T的关系,计算了3种氨基酸对映体与固定相相互作用的热力学函数.     

CdSe／HgSe／CdSe量子点量子阱（QDQW）的HREM研究

我们应用胶体化学合成方法制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)纳米晶,由于QDQW中载流子的量子限制效应,其光致发光谱(PL)出现了明显的蓝移现象,谱峰也有明显增强。本文中,我们通过对CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱核壳结构进行HREM的研究,并对包裹层这种异质外延生长及PL谱进行分析,获得了有意义的结论。胶体CdSe纳米晶是在水溶液中加以生长[1]。其化学反应式为:Cd2++2OH-+SeSO32-→CdSe+SO32-+H2O(1)通过改变Cd2+、SeSO32-的浓度及溶液中pH值,对CdSe纳米晶的尺度加以控制,并加入化学稳定剂阻止CdSe纳…     

热氧化法制备SnO2纳米晶的HREM研究

二氧化锡半导体材料,因其高电导率、在可见光区的高透明度、以及较好的热稳定性和化学稳定性,使其具有广泛的用途.它可以用作太阳能电池、光电感应器件等,而最重要的应用就是用作气敏传感器的原材料[1].在气相沉积法制备的SnO2薄膜中,混合相(SnO-SnO2)比SnO2单相表现出更好的气敏性[2].