全文获取类型
收费全文 | 49篇 |
免费 | 6篇 |
国内免费 | 8篇 |
专业分类
化学 | 2篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 2篇 |
数学 | 4篇 |
物理学 | 13篇 |
无线电 | 41篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2022年 | 3篇 |
2019年 | 4篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 7篇 |
2014年 | 1篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 1篇 |
2008年 | 1篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 3篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 4篇 |
2002年 | 1篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 1篇 |
1995年 | 2篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
排序方式: 共有63条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
仿生非光滑表面铸铁材料的常温摩擦磨损性能 总被引:12,自引:3,他引:12
模仿动物体表形态,在试样表面通过激光雕刻出有规则分布的凹坑以及条纹等非光滑单元体,研究了具有非光滑表面材料的摩擦磨损性能.结果表明:非光滑表面材料的耐磨性较光滑表面提高1倍以上,摩擦系数提高66%以上;当非光滑表面的单元体硬度越高、直径越大和间距越小时,其耐磨性能越好,摩擦系数越大.这是由于激光加工的单元体相当于在母体上增加了许多强化质点,比母体具有较高的硬度和致密性,能够提高抗磨性,增加表面粗糙度,所以其耐磨性提高,摩擦系数增大. 相似文献
2.
随着我国国民经济的日益繁荣,人民群众对用电量的需求日趋增加。但对于我国目前城市的电网方面而言,在其基建工程的管理中,仍然存在诸多的不足尚未能得到有效解决。由此,本文笔者就对当前城市110kV输电网基建工程管理的现状进行了浅析,并针对其存在诸多的不足采取切实有效的解决策略,旨在有效推动城市电网的正常稳定建设。 相似文献
3.
4.
对电信运营商呼叫中心分布的研究与实践 总被引:3,自引:0,他引:3
本文首先介绍了呼叫中心分布问题的研究背景、研究目标及研究方法,然后从设计变量与假设入手,将呼叫中心的设置位置、数量和规模等作为变量函数与约束条件的量化内容,通过采用混合整数规划的数学优化模型,寻求呼叫中心的总体成本最小化,从而形成呼叫中心的分布模型.本文把分布问题与呼叫中心的设置问题相结合,不同于以往对呼叫中心的大多数研究只考虑了微观上如何对其内部进行优化的配置与管理. 相似文献
5.
天津市地处华北东部,毗邻北京,与河北省接壤。天津市总面积1.13万平方公里,人口总数为940万人,是我国四大直辖市之一,是我国主要的外向型经济口岸城市,也是我国最早的沿海开放城市之一。无线通信在天津通信网中发挥著越来越重要的作用,应用范围从微波、卫星、无线寻呼、移动通信, 相似文献
6.
7.
8.
制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到最小界面态密度为1.6×1010 cm-2·eV-1。与硫钝化工艺对比,随测试温度升高,氮等离子体钝化工艺可以有效减少边界陷阱,边界陷阱密度从1.1×1012 cm-2·V-1降低至5.9×1011 cm-2·V-1,同时减少了陷阱辅助隧穿电流。氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺分别在降低边界陷阱和快界面态方面有一定优势,为改善器件界面的可靠性提供了依据。 相似文献
9.
随着我国工业化水平的不断提高,工业生产过程中自动化设备开始广泛应用.特别是自动化仪表在工业生产过程中具有不可替代性,发挥着非常重要的作用,因此需要做好自动化仪表的维护工作,保证自动化仪表运行的稳定性,降低其故障发生率,使其更准确的完成测量任务.文中分析了自动化仪表的技术特点,并进一步对自动化仪表的维护措施进行了具体的阐述. 相似文献
10.
Impact of AlxGa1-xN barrier thickness and Al composition on electrical properties of ferroelectric HfZrO/Al2O3/AlGaN/GaN MFSHEMTs
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Ferroelectric (FE) HfZrO/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack AlGaN/GaN metal-FE-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MFSHEMTs) with varying Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N barrier thickness and Al composition are investigated and compared by TCAD simulation with non-FE HfO$_{2}$/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack metal-insulator-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MISHEMTs). Results show that the decrease of the two-dimensional electron gas (2DEG) density with decreasing AlGaN barrier thickness is more effectively suppressed in MFSHEMTs than that in MISHEMTs due to the enhanced FE polarization switching efficiency. The electrical characteristics of MFSHEMTs, including transconductance, subthreshold swing, and on-state current, effectively improve with decreasing AlGaN thickness in MFSHEMTs. High Al composition in AlGaN barrier layers that are under 3-nm thickness plays a great role in enhancing the 2DEG density and FE polarization in MFSHEMTs, improving the transconductance and the on-state current. The subthreshold swing and threshold voltage can be reduced by decreasing the AlGaN thickness and Al composition in MFSHEMTs, affording favorable conditions for further enhancing the device. 相似文献