恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究

在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况. 这种退化是恒流应力和时间的函数，对恒流应力大小的依赖性更加强烈，隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Q_inj)的函数. 在较低Q_inj下氧化层中发生正电荷俘获，在较高Q_inj下发生负电荷俘获，导致栅压变化的反复. 关键词： 2PROM')" href="#">E²PROM 隧道氧化层 退化 恒流应力     

在有线电视网中开展数字电视业务的分析

本文详细地介绍了重庆有线电视基于DVB－C标准有线数字交互式业务系统端到端建设解决方案，对实际应用具有一定的指导作用。     

恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究

在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数.在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复.     

数字电视增值业务短信系统的设计与实现

设计了一种以遥控器作为短信业务的通信终端,立足于广电现有网络的一种短信支撑平台。主要介绍了该短信系统的网络架构、网络初始化、链路检测、短信发送等业务流程,并对多功能遥控器的设计进行了简单介绍。     

Sm3+掺杂(Na0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Ca0.2)TiO3高熵粉体的制备及其荧光性能研究

采用固相法制备了稀土Sm³⁺(0～0.10 mol)掺杂的(Na_0.2Bi_0.2Ba_0.2Sr_0.2Ca_0.2)TiO₃高熵荧光粉。研究发现,随着Sm³⁺掺杂量的增加,(Na_0.2Bi_0.2Ba_0.2Sr_0.2Ca_0.2)TiO₃高熵粉体逐渐出现了Sm₂Ti₂O₇杂相,其发光强度发生明显变化。当Sm³⁺掺杂量为0.04 mol时,(Na_0.2Bi_0.2Ba_0.2Sr_0.2Ca_0.2)TiO₃高熵粉体具有单一的钙钛矿结构,且各元素组分分布均匀,并表现出最佳的荧光性能。当...     

用于高速电荷域ADC的电荷比较器设计

设计了一种用于电荷域流水线ADC的高速电荷比较器电路,该比较器包括电荷采样电路、共模不敏感开关电容网络和锁存放大器。仿真结果表明,在0.18μm CMOS工艺条件下,该比较器在250 MHz时钟下性能良好,采用该比较器的12位250 MS/s电荷域ADC内的2.5位子级电路功能正确。     

SOI SONOS EEPROM 总剂量辐照阈值退化机理研究

阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOI SONOS EEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施. 关键词： SONOS EEPROM SOI 辐照 能带     

磷离子注入对部分耗尽SOI MOS总剂量背栅效应的影响

本文研究了背栅磷离子注入加固技术对部分耗尽绝缘体上硅（silicon-on-insulator, SOI）MOS器件抗总剂量辐射性能提升的机理。认为可以对背栅沟道处进行磷离子注入,改变界面处的离子浓度分布,通过引入电子陷阱,抵消背栅界面陷阱俘获正电荷,从而改善背栅效应,提高器件的抗辐射性能。通过用高浓度磷离子对部分耗尽SOI NMOS器件背栅进行离子注入,大大减小了器件的背栅效应,实验器件的抗辐射能力能够达到1M rad（Si）。