用单片机制作通用型电视遥控器

本文介绍了一种用MCS－51系列单片机AT89C52代替专用遥控芯片的设计方案，通过软件模拟实现了电视机遥控编码的发射，并且达到“一器多用”。     

等离子显示器降功耗技术

2009年初国内外多家媒体上曾出现关于欧盟要禁售等离子电视的报道.欧盟电视产业研究协会的负责人Paul Gray否认了达一说法,但同时也提到该协会有以下的规划.     

小切角衬底上4H-SiC同质外延薄膜的形貌

4H-SiC外延薄膜是加工高频、大功率电子电力器件的理想半导体材料,而使用不同斜切角的衬底进行外延生长的工艺不同.在1.2°小切角的4H-SiC离轴衬底上采用化学气相沉积(CVD)法生长同质外延薄膜.为了改善外延薄膜的表面形貌,对生长温度、原位表面处理和C/Si比这三个重要的生长参数进行了优化.利用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)观察外延薄膜的表面形貌,发现较高的生长温度和较低的C/Si比可以有效降低缺陷密度和表面粗糙度.在生长前使用硅烷气体进行原位表面处理可以有效减小外延薄膜表面的台阶聚束效应.低温光致发光测试表明生长的外延薄膜质量良好.     

PLD及IC开发领域的EDA工具介绍

EDA（Electronic Design Automation）即“电子设计自动化”,是指以计算机为工作平台,以EDA软件为开发环境,以硬件描述语言为设计语言,以可编程器件PLD为实验载体（包括CPLD、FPGA、EPLD等）,以集成电路芯片为目标器件的电子产品自动化设计过程。“工欲善其事,必先利其器”,因此,EDA工具在电子系统设计中所占的份量越来越高。下面就介绍一些目前较为流行的EDA工具软件。     

基于Hadoop的非关系型数据库安全技术研究

当前对大数据的研究如火如荼,由于非关系型数据库提供了高可扩展的大规模数据扩展方案,所以在大数据领域得到广泛应用,与Hadoop集成的HBase数据库是其中的典型代表。非关系型数据库没有schema,所以无法对数据库进行完整性验证,这就存在数据不一致的隐患,对此本文分析非关系型数据库HBase的安全技术。     

智能电视领域专利信息分析

智能电视像智能手机一样,具有全开放式平台,配备高性能芯片,搭载操作系统,由用户自行安装和卸载软件、游戏等第三方服务商提供的应用程序,以此对电视的功能进行扩充,并通过网络进行信息浏览和网络社交.基于此,从多个方面分析智能电视领域的专利信息,以期为该领域从业者的决策提供数据帮助.     

适用于多种噪声模型的图像滤波器

基本原理 图像受获取和存储、处理及各种干扰的影响,显示时画面上会出现噪声.为了减少噪声带来的负面影响,尽可能地还原干净真实的画面,就需要用到降噪滤波器对图像数据进行处理.     

Femtosecond laser microstructuring of nickel foil

We observe the morphological change and grain structure of Ni foil when it is ablated with femtosecond laser pulses. Scanning electron microscopy and field emission transmission electron microscopy are used to study the nature of the morphology and grain structure of nickel foil and determine the essential features. The results indicate that there are many random uanostructures in the center of the ablated region composed of nanocrystalline grains as well as some core-shell structures phase explosion and extremely high cooling rate are the for the formation of surface nanostructures. The observed morphologies seem to suggest that most probable physical mechanisms responsible     

液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究

As在HgCdTe材料中具有较小的扩散系数,可以形成较为稳定的结构,广泛应用于HgCdTe的p型掺杂。在p-on-n型碲镉汞红外探测器的制备中As掺杂是重要的制备方法。针对在制备过程中存在无法精确测量As激活率的问题,提出采用低温弱p型退火辅助差分霍尔测试的方法,获得了载流子浓度分布,从而通过与SIMS测试结果对比得到长、中波液相外延HgCdTe样品中As的激活率,并分析了退火等工艺对As掺杂后激活率的影响。