电容温度传感器的实验研究

从液氮温度到水的沸点温度范围内,测量了介质分别为钽,涤纶,陶瓷,玻璃釉和陶瓷独石一体化结构的商用固体电容器的电容量-温度之间的关系.拟合测量结果表明,独石陶瓷电容器在正温度段具有较好的线性响应(-10pF/℃),灵敏度(0.1 ℃)和精确度(标准差为0.016);而涤纶电容器在负温度段的特性较好( 17pF/℃,0.06 ℃和0.01).此外,在约0.5特斯拉的恒定磁场作用下,无论在正或负温度段,上述测得的电容量-温度关系几乎不受影响.因此,本研究对开发抗强电磁场,自加热效应小或导热系数小的低温测温器具有较大的参考价值.     

GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管

用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管,Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明,ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料,其反向电压为－５Ｖ时,反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２．     

压缩传感方位估计

信源方位估计是阵列信号处理的一个重要问题。基于信源空间分布稀疏的本质,利用压缩传感理论,构造出一种稀疏信源方位估计模型,仿真结果表明,在不考虑噪声的理想情况和满足压缩传感的条件下,不仅可以准确的恢复出原始信源的方位,而且精确的得到各个信源信号的强度,并且,这种新的模型只需要一次时间采样,从而大大降低了成本。     

GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究

用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的Ｎ型及Ｐ型载流子浓度范围分别为１．５×１０１６～４．０×１０１９ｃｍ－３及１．０×１０１７～２．０×１０１９ｃｍ－３，基于对Ｎ型Ｓｉ外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，我们用Ｋｌａａｓｓｅｎ模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响．此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，Ｎ、Ｐ型杂质浓度纵向     

浅析低渗透油田抽油机井工作制度的合理优化

抽油机井合理的工作制度、生产参数是采油队精细管理所追求的终极目标,通过IPR曲线,泵的理论排量等经验管理公式,确定合理的油井产量,再确定冲程后,依次计算出泵深、泵径、冲次,从而优化工况,使抽油井达到保持合理生产能力、延长检泵周期的目的。     

神经形态器件的特性与发展

随着大数据时代的到来和人类对人脑系统研究的日渐深入,类脑计算领域的研究取得突破性进展,有希望在根源上打破传统计算机的性能瓶颈.神经突触是对人体脑部进行记忆能力训练和处理数据的重要基础单元,因此开发新材料、新结构,研究基于新型人造材料与光电子器件的神经突触可塑性,对神经形态器件研究和类脑硬件设计的实现都有着重要意义.本文首先指出目前“冯·诺依曼架构”的主要性能瓶颈,引出类脑计算的概念,提出神经形态器件的主要性能优势,并梳理神经形态器件发展历史;然后在忆阻器领域,阐述与分析忆阻类型、忆阻结构与忆阻机理,比较出几种忆阻器的特性,举例说明忆阻器在不同领域的应用;接着以神经形态器件为基础,选取磁性隧道结、新型浮栅管和铁电晶体管,介绍其结构、工作原理与应用;最后总结目前神经形态器件发展的成果和方向,并对行业发展前景进行预测.     

一样的西子湖，不一样的风光——IMIC横空出世

从ICTC到IMIC 还是在南京就读时，曾心怀雀跃踏上杭州这片润土．清新的空气混合着独有的花香，沁人心脾。记忆中，跟友人惬意散步于西湖边，弱风扶柳，飘飘渺渺，还因断桥与想象中大相径庭唏嘘半天。     

信息时代网络保密面临的挑战及对策

近年来,随着我军现代化水平的提高和科技兴军战略的实施,全军信息网络建设发展迅速,网络的触角几乎延伸到各个单位、各个专业,对推动部队全面建设、提高训练和指挥效能发挥了重要作用。但是随着指挥和办公自动化设备的广泛运用,计算机信息网络安全保密问题也日益突出,已经成为当前急待解决的带有全局性的重大问题。一、信息时代网络保密工作面临的主要挑战随着我军的信息化工程不断完善,军队的作战指挥、     

衬底温度和生长速率对MBE自组织生长InxGa1-xAs/GaAs QD的影响

研究GaAs基InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件,发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下,衬底温度和生长速率是影响InxGa1-xAs/GaAsQD形成及形状的一对重要因素,其中衬底温度直接影响着In的偏析程度,决定了InxGa1-xAs/GaAs的生长模式;生长速率影响着InxGa1-xAs外延层的质量,决定了InxGa1-xAs/GaAsQD的形状及尺寸.通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的InxGa1-xAs/GaAsQD(x＝0.3).