应力应变对金属裸体表面溶解电流的促进机理

从位错和能量的观点出发,分析了畸变原子和普通原子间的能量差别,结果表明:位错原子的电动势比普通原子的电动势高出大约2.1V,溶解速率是普通原子的10¹⁷倍。提出了金属裸表面溶解的模型。理论计算得到了裸体表面溶解电流和位错密度的关系。利用自行设计制作的快速划破装置测试了不同应力应变状态下321不锈钢单晶体在3.5％MgCl₂水溶液中裸体表面溶解电流。实验结果与理论计算结果相一致。     

向心力表达式用什么实验设置演示更恰当

2017年教育部颁布新课程标准,2019年开始使用新版普通高中教科书,人教版物理必修2教材"向心力"一节的实验设置,由"用圆锥摆粗略验证向心力表达式"改成了"用向心力演示器探究向心力大小的表达式",教材的这个改变值得商榷,比较两种器材的特点和新课标要求,圆锥摆实验更有利于培养学生的物理学科素养,更符合新课标的编写理念.     

基于Q-plate的双图像非对称偏振加密

基于Q-plate提出了一种对两幅图像做非对称偏振加密的新方法.在该方法中,首先,将待加密的两幅图像通过干涉分解成两块纯相位板;其次,将这两块纯相位板分别编码到偏振光的两个正交分量中;最后,利用Q-plate和像素化的偏振片改变这束光的偏振分布,达到对图像的加密效果,用电荷耦合器件接收输出面的强度分布图作为最终的密文.其中一块纯相位板作为解密密钥.算法的解密密钥不同于加密密钥,由此实现了非对称加密.由于Q-plate是电调控的,它的每个像素点的光轴各不相同,所以能够根据描述变面结构空间旋转率的常数q来改变每个像素的偏振态.加密过程中用Q-plate的q值和像素化的偏振片的偏振角度作为加密密钥,这两个加密密钥具有很高的敏感性,极大地提高了算法的安全性.数值模拟结果验证了该方法的可行性和有效性.     

掺氧非晶硅的光学带隙和光电导光谱响应

GD非晶硅中氧的掺杂对材料的光电特性有重要的影响。我们测量了a-Si:H和a-Si:H:O的光学带隙和光电导光谱响应,发现掺氧将会使光学带隙有所增加。光电导光谱响应测量表明,掺氧后的非晶硅,较之同样条件下未掺氧的样品,光电导光谱响应的峰值更加接近太阳光谱的峰值,光电导光谱响应半宽度有所增加。此外,在长波限以外,当所用光子能量大于E_B—E_F时,仍测得了微弱的光电导,这可能与带隙态中低于E_F的局域态有关。     

GD非晶硅中氧、氮对其光电特性的影响

研究了以氧、氮或它们的混合气体作为掺杂材料所制备的a-Si 薄膜,并分析了掺杂后对其光电特性的影响.在我们的实验室中,不掺杂的样品是高阻和低光电导的,然而在GD制备过程中引入适量的氧或氮,可使其暗电导和光电导发生很大变化,在合适的条件下,其典型值可分别增加七个和四个数量级.文中给出了暗电导、光电导与掺杂量的关系;不同掺杂材料的电导激活能;红外吸收谱和隙态密度分布曲线等.文章最后对结果作了推测性的讨论.并认为,在GD法制备非晶硅薄膜过程中,微量的氧和氮是导致材料光电特性分散的一个重要因素.     

α—SiTFT有源矩阵液晶显示器的研制进展

本文全面介绍了我们在α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ“八五”科技攻关研究中的ＴＦＴ矩阵模拟与优化设计、性能改善、提高矩阵板一致性与完整性、液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。并在南开大学形成的一个集中的ＴＦＴ—ＬＣＤ研制线上，最终研制出具有视觉感受无缺陷的α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ视频图象显示器。     

GD非晶硅电子迁移率的测量

本文介绍用“渡越时间”法测量辉光放电硅烷生长的本征非晶硅材料的电子迁移率。讨论了电场强度和注入光强度对瞬态光电流的影响。由于制备条件的不同,a-Si:H材料中电子迁移率在0.3～1.2cm~2/V.s之间。由于非晶硅材料中局域态对电子的陷阱作用,电子陷阱的释放弛豫时间均大于1μs。     

关于空气细颗物PM2.5防治对策的初步探讨

介绍了空气细颗粒物PM2.5主要来源于自然人为活动，重点探讨了空气细颗物PM2.5的防治对策，包括调整工业结构及规模；实施洁净生产：普及城市天然气，开发洁净能源；防治汽车尾气以及灭菌、消毒四个方面，以引起公众和相关部门的高度重视。     

高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si TFT

本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／ｉｎ＋ａ－Ｓｉ／Ａ１）的ＴＥＴ矩阵研究结果．其关态电流（Ｉ_ｏｆｆ（－５Ｖ））在５—７×１０￣－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉ_ｏｎ（Ｚ０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉ_ｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ２／Ｖ．ｓ．