50例微波器件失效分析结果汇总与分析

对约50例微波器件失效分析结果进行了汇总和分析,阐述了微波器件在使用中失效的主要原因、分类及其分布。汇总情况表明,由于器件本身质量和可靠性导致的失效约占80%,其余20%是使用不当造成的。在器件本身的质量和可靠性问题方面,具体失效机理有引线键合不良、芯片缺陷(包括沾污、裂片、工艺结构缺陷等)、芯片粘结、管壳缺陷、胶使用不当等;在使用不当方面,主要是静电放电(ESD)损伤和过电损伤(EOS),EOS损伤中包括输出端失配、加电顺序等操作不当引入的过电应力等。     

显像管管座失效机理分析

介绍显像管管座绝缘电阻下降,导致显像管开机模糊的失效机理,以及导致显像管管座绝缘电阻下降的相关原因。     

偏振遥感的回顾与展望

主要回顾了偏振遥感的产生与发展历程及其在植被、岩矿、土壤、水体等方面的研究成果,并展望了偏振遥感发展的未来。众所周知,传统遥感是将地球视为朗伯体,故采取垂直方式获取地表的二维信息,其目的是为了更有利于对遥感信息进行计算机处理。事实证明,把地球当做朗伯体颇欠合理,来自地球表面的信息具有明显得三维空间分布特征。李小文院士对BRDF进行了深入研究,并取得了令人瞩目的成果。偏振反射与二向性反射是一对孪生姊妹.BRDF主要反映的是光谱的角度信息,而偏振反射不但反映光谱的角度信息,同时也反映光谱的偏振信息。当地表某个部分为朗伯面时,其光谱的角度信息与偏振信息均为零。分析比较偏振遥感与多角度、高光谱遥感以及微波遥感的内在联系与差异,不难发现上述三种遥感是偏振遥感的特例.     

凸台式PIN二极管失效分析和键合工艺改进

PIN二极管在封装、试验过程中分别出现大量的失效,分析发现,这种PIN二极管考虑到频率和寄生电容的要求,采用一种"凸台"式结构,即结区和阳极在一个突出的凸台上,凸台直径仅有28μm。这种凸台边缘只要受到一个较小的机械应力的作用,就会造成凸台崩损、结被破坏,导致结漏电或在小电压下击穿。因此凸台对键合时产生的机械应力很敏感,普通的芯片键合技术也会对凸台造成机械损伤,严重影响器件良品率和长期可靠性。通过对劈刀的改进和重新选择键合丝以及精心调试的键合参数,有效防止了键合对二极管造成的损伤,提高了二极管的成品率和可靠性。     

基片焊接不良导致微波功率器件热烧毁

利用声学扫描检测技术,揭示了热烧毁的微波功率器件氧化铍陶瓷基片与底座金属散热片的焊接不良现象;通过对样品的研磨与剥离,验证了焊接界面存在大面积空隙的状况;分析了其失效机理,并提出了建议。     

CMOS存储器IDD频谱图形测试

通过对CMOS存储器IDD频谱图形测试过程的介绍,测试及试验数据证实CMOS存储器IDD频谱图形测试是可行的。     

宽带大功率行波管热丝短、断路失效机理及对策

对宽频带大功率行波管热丝短、断路失效机理进行了分析，并在机理分析的基础上，讨论消除这一失效模式而采取的措施及其效果。     

长白山牡丹岭典型阔叶树叶变色期高光谱及红边特性研究

以长白山牡丹岭典型阔叶木本植被为研究对象, 通过冠层高光谱和微分光谱数据确定叶变色期, 利用红边参数建立光谱与叶变色期的反演模型.研究结果表明：冠层高光谱反射比曲线可以准确反映植被秋季叶变色期的变化, 并表现为三种基本类型：叶开始变色期——叶全部变色期——干枯但不落叶, 叶开始变色期——部分变黄并开始落叶——未完全变黄但落叶结束, 叶开始变色期——叶全部变色期——落叶; 一阶微分光谱曲线与高光谱曲线线能够更清晰的显示出叶开始变色期和叶完全变色期的具体日期; 建立红边参数—叶变色期的反演模型, R2均在0.9以上, 且不同植被适合不同形式的拟合方程.对利用遥感方法定量监测山地秋季物候具有重要理论意义和广泛应用前景.     

钛酸锶铌基高介变阻器陶瓷的制备与表征

采用铌掺杂的方法制备钛酸锶(STO)粉末,烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压(I-V)特性和介电特性测试表明,多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能,其介电常数很大,有良好的介电温度系数和频率系数,介电损耗小,压敏电压低,非线性系数大。全面给出了压敏电阻的9项指标,并与文献中的数值进行了比较。eεff高达(4~9)×105,具有良好的介电温度系数(|αs|<0.3%)、频率系数(fr<12%)和电压温度系数(|k|=0.2%);介电损耗小(tanδ<1%);非线性系数大(α=4~10);电流密度为1 mA时的场强(E1 mA)值很低(0.3~2.9 V/mm);电压系数小于10%。     

元器件失效分析在整机行业中的作用

本文介绍电子元器件失效分析的方法及其作用，以具体的案例阐述了元器件失效分析在整机可靠性提高中，在界定元器件缺陷及元器件使用不当中的作用。