基于E类功率放大电路的射频功率发生器

系统地研究了E类功率放大电路,通过选择适当的器件,设计出高效简单的放大电路;初步设计了PID的控制策略,并且构建了基于E类功率放大电路的射频功率发生器。经实验测试,本射频功率发生器具有半3U尺寸,额定输出功率达到1 500 W,整机效率大于65%,功率准确度小于1%。     

Realization of conformal doping on multicrystalline silicon solar cells and black silicon solar cells by plasma immersion ion implantation

Emitted multi-crystalline silicon and black silicon solar cells are conformal doped by ion implantation using the plasma immersion ion implantation （PⅢ） technique. The non-uniformity of emitter doping is lower than 5 %. The secondary ion mass spectrometer profile indicates that the PⅢ technique obtained 100-rim shallow emitter and the emitter depth could be impelled by furnace annealing to 220 nm and 330 nm at 850 ℃ with one and two hours, respectively. Furnace annealing at 850 ℃ could effectively electrically activate the dopants in the silicon. The efficiency of the black silicon solar cell is 14.84% higher than that of the mc-silicon solar cell due to more incident light being absorbed.     

基于图像分析的SEM显微视觉自动聚焦技术研究

为了快速准确地获取清晰的SEM显微图像,提出了一种基于图像分析的SEM显微视觉自动聚焦技术.该技术采用了两级清晰度评价函数的自动聚焦策略,首先利用基于灰度差分的评价函数对图像进行分析评价,然后以大步距遍历搜索函数峰值,直至第一次经过峰值;接着,再利用基于DCT(d[iscrete cosine transformation)变换的评价函数来分析评价图像之后,以小步距进行局部搜索,直至搜索到清晰的SEM显微图像,完成SEM的自动聚焦.实验证明,该技术准确有效,具有较强的鲁棒性和实时性.     

基于FPGA的电子束曝光机工件台控制器设计

基于激光干涉仪的精密工件台是电子束曝光机的关键设备。为了改进工件台控制器的运算速度．设计了一种基于FPGA的电子束曝光机工件台控制器。本控制器由上位机接口、激光干涉仪测量系统接口、电机控制接口、手动面板接口和主处理器组成,以美国Xilinx公司Spantan3系列的FPGA芯片XC3s400为核心。实现控制器与上位机、激光干涉仪测量系统、伺服驱动系统、手动控制面板之间的数据交换和指令传递。完成工件台的精确移动。满足电子束曝光的定位精度和拼接精度的要求。     

射频功率发生器的功率检测装置研究

射频功率发生器是半导体工艺设备的核心部件,功率检测装置的性能决定了射频功率发生器的功率输出特性。系统地研究了射频功率检测装置,通过选择适当的器件,设计出简单精确的射频功率检测电路;经试验分析,本射频功率检测装置的功率检测范围0～1 500 W,对应的检测输出电压范围0.2～4.65 V,该检测输出电压与实际输出功率基本呈线性关系。     

基于SEM的压电式微纳操纵系统

微纳操纵系统是当前先进制造技术领域的一个重要发展方向.为了实现在亚微米及纳米尺度下进行实时观测下的操纵,设计了一种基于扫描电镜(SEM)的压电式微纳操纵系统,本系统由数字式环境扫描电子显微镜系统、精密工件台、微纳操作机构、图形发生器和计算机系统组成,采用数字式环境扫描电子显微镜作为微纳操作的观测器,在SEM的样本室内安装微纳操作臂,计算机系统控制微纳操作臂,使其在SEM的实时观测下对放置在精密工件台上的样本进行操纵,并且还可利用图形发生器进行电子束曝光以制备微纳结构.实验证明,本系统不仅能适于在各种环境下进行微纳操纵,且还可制作微纳结构,具有很强的实用性.     

基于FPGA的电子束曝光村工件台控制器设计

基于激光干涉仪的精密工件台是电子束曝光机的关键设备。为了改进工件台控制器的运算速度．设计了一种基于FPGA的电子束曝光机工件台控制器。本控制器由上位机接口、激光干涉仪测量系统接口、电机控制接口、手动面板接口和主处理器组成,以美国Xilinx公司Spantan3系列的FPGA芯片XC3s400为核心。实现控制器与上位机、激光干涉仪测量系统、伺服驱动系统、手动控制面板之间的数据交换和指令传递。完成工件台的精确移动。满足电子束曝光的定位精度和拼接精度的要求。     

Studies on the polycrystalline silicon/SiO_2 stack as front surface field for IBC solar cells by two-dimensional simulations

Interdigitated back contact(IBC) solar cells can achieve a very high efficiency due to its less optical losses. But IBC solar cells demand for high quality passivation of the front surface. In this paper, a polycrystalline silicon/SiO_2 stack structure as front surface field to passivate the front surface of IBC solar cells is proposed. The passivation quality of this structure is investigated by two dimensional simulations. Polycrystalline silicon layer and SiO_2 layer are optimized to get the best passivation quality of the IBC solar cell. Simulation results indicate that the doping level of polycrystalline silicon should be high enough to allow a very thin polycrystalline silicon layer to ensure an effective passivation and small optical losses at the same time. The thickness of SiO_2 should be neither too thin nor too thick, and the optimal thickness is 1.2 nm.Furthermore, the lateral transport properties of electrons are investigated, and the simulation results indicate that a high doping level and conductivity of polycrystalline silicon can improve the lateral transportation of electrons and then the cell performance.