湿N2退火HfTiO和HfO2栅介质 Ge MOS电特性研究

采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气氛中的水解特性,湿N2退火能分解淀积过程中生长的锗氧化物,降低界面态和氧化物电荷密度,有效提高栅介质质量。测量结果表明,湿N2退火Al/HfTiO/n-GeMOS和Al/HfO2/n-GeMOS电容的栅介质等效厚度分别为3.2nm和3.7nm,-1V栅偏压下的栅极漏电流分别为1.08×10-5A/cm2和7.79×10-6A/cm2。实验结果还表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入提高了介电性能,但是Ti的扩散也使得界面态密度升高。     

HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析

采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。     

低功耗UHF RFID标签基带处理器的ASIC实现

设计并实现了一种新颖的超高频RFID标签的基带处理器.该标签以ISO/IEC 18000-6C协议为基础,但在反向链路通信方面,在原协议FM0编码/Miller调制副载波的基础上增加了扩频编码的实现,目的是提高反向链路的通信信噪比.该设计支持协议要求的所有11条强制命令的读写操作,概率/分槽防冲突算法,以及对存储器的读写操作.设计中采用了低功耗技术,显著降低了芯片的平均功耗和峰值功耗.芯片采用0.18 μm6层金属CMOS工艺进行流片,面积为0.5mm2.测试结果表明,芯片消耗功耗约为16μW,最低工作电压为1.04 V.     

高新技术在保密工作中的应用

高新技术是现代化科技的结晶,是社会发展的先导和直接动力,用以保护国家秘密安全的高新技术,我们称之为高新保密技术。 高新保密技术涉及面广,种类繁多,概括地说主要包括:(1)涉密信号保护技术,即通过科技手段,运用高新科技方法或设备,防止载有秘密的信号被人截获的技术;(2)涉密物体保护技     

UHF RFID标签基带处理器的低功耗设计

随着超高频RFID标签的应用越来越广泛,在提高其性能上的需求也越来越迫切.对于无源标签,工作距离是一个非常重要的指标.要提高工作距离,就要降低标签的功耗.着重从降低功耗方面阐述了一款基于ISO18000-6 Type C协议的UHF RFID标签基带处理器的设计.简要介绍了设计的结构,详细阐述了各种低功耗设计技术,如动态控制时钟频率、寄存器复用、使用计数器和组合逻辑代替移位寄存器、异步计数器、门控时钟等的应用.结果证明,这些措施有效地降低了功耗,仿真结果为在工作电压为1 V,时钟为2.5 MHz时,功耗为4.8 μW;目前实现了前三项措施的流片,测试结果表明工作电压为1 V,时钟为2.5 MHz时,功耗为8.03 μW.