半导体激光器列阵有源区电场随电流变化的定点测量

采用连续波电光检测法，对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结激光器列阵有源区进行定点测量，实验结果反映了发光区内及发光区外电场随电流变化的不同规律。文中对实验结果给出了合理解释。     

GaAs／AlGaAs发光二极管列阵场分布特性的电光测量

应用一种新颖的无损伤测量技术－连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单异质结发光管列阵电场分布进行了扫描测量。实验结果反映了器件内电流注入的方向和载流子扩展情况；通过比较各单元电场分布，反映器件发光均匀性。文中详细介绍了测量原理、实验装置和实验结果及讨论，最后用计算机对电场分布作了模拟计算并与实验结果进行了对照。     

GaAs／AlGaAs激光器及其列阵电流注入及电子线分布研究

采用连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）测量ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤＨ激光器及其列阵在不同部位的电场分布，研究了这两种器件的注入电流及电力线分布情况     

电光取样技术在ps级超短电脉冲测量和GHz高频电信号测量中的应用

对ps级超短电脉冲测量而言,电光取样是目前最准确、最有效的方法之一。本文介绍了电光取样的基本测量原理及实验途径,对测量的误差因素进行了分析。电光取样对由电光晶体如GaAs、LiNbO_3等制成的光电器件的瞬态响应测量具有特殊优点。本文着重对GaAs集成电路的瞬态测量原理和方法及误差因素进行了介绍。电光取样基于谐波混频原理对GaAs高频场分布的测量也十分有效。     

砷化镓半导体材料与器件中高频场分布研究的新方法——脉冲电光检测技术

介绍了砷化镓材料和器件中高频电场的分布测量的新方法——谐波混频脉冲电光检测:它的原理、实验装置以及在砷化镓共平面波导中微波驻波场分布测量中应用的结果.在频率高达20.10GHz及开路、短路和50Ω不同的负载条件下测得的结果与理论预计值符合很好.本文最后对方法的灵敏度和空间分辨率进行讨论.     

AlGaAs/GaAs异质结构外延材料均匀性的电光测量

本文介绍了连续波电光检测法(CWEOP—continuous wave electro-optic probing)应用于AlGaAs/GaAs异质结构材料均匀性测量的原理、实验装置和实验结果。扫描电子显微镜电压衬度技术也用于观察测量样片,比较两者的结果发现有较好的对照。最后,讨论了实验结果,并对方法的应用作了展望。     

连续波电光检测法用于检测超薄层异质结外延材料均匀性的研究

本文以连续波电光检测法（CWEOP）为基本原理，设计完成了自动电光检测系统，并采用锁相放大技术，对超薄层异质结外延材料进行了电场分布的测试，由此对其均匀性进行了评估．通过实验探讨了超薄层异质结外延材料2DEG分布不均匀的电光检测标准、最佳测试条件等，并对影响测量结果的因素进行了分析．本方法的突出优点是能够无损地对超薄层异质结外延材料不均匀的2DEG进行定位．