高等林业院校有机化学实验教学改革初探

通过改革基础有机化学实验课教学内容,本科生有机化学实验技能的强化训练,开设综合性实验──有机化学大实验的实施与实践,对高等林业院校有机化学实验教学改革进行了初步探索。     

扩频通信技术在经纬仪对外通信中的应用

经纬仪作为靶场主要的高精度外弹道测量设备,在使用过程中,经常与测控中心互传数据,在经纬仪对外通信中采用扩频通信技术,实现了远程通讯.本文主要介绍了扩频通信技术在经纬仪对外通信中的应用.介绍了扩频通信的原理及典型的工作方式,描述了几种典型工作方式的具体实现方法;重点介绍了扩频微波通信技术的特点、系统组成、使用方案及系统连...     

槲皮素的光谱分析

槲皮素属于黄酮醇类化合物,广泛存在于蔬菜、水果、茶和葡萄酒等很多食物中。它是一种极强的天然抗氧化剂,具有抗血栓、抗炎、抗病毒、抗肿瘤等作用。本文分析了槲皮素的UV、IR、¹H NMR、¹³C NMR、MS、TG、DSC等,给槲皮素的生产、质量控制提供可靠的光谱数据。     

制冷型红外成像系统内部杂散辐射测量方法

杂散辐射是红外光学系统设计和检测过程中涉及的一项重要指标.为了定量测量红外成像系统内部杂散辐射, 提出一种基于辐射定标的测量方法, 并通过理论推导和实验验证以说明该方法的合理性.首先, 建立了不带光学系统的辐射定标模型, 即探测器直接接收定标源辐射能, 获得探测器内部因素对系统输出的影响; 然后将其与带有光学系统的定标结果进行比较, 得到由光学系统自身辐射对系统输出的影响, 进而计算红外成像系统内部杂散辐射; 最后通过实验证明了本文理论的正确性.该方法操作简单, 对实验条件要求低, 并可以精确地测量红外成像系统内部杂散辐射.可用于指导红外系统设计中的杂散辐射抑制, 验证系统杂散辐射分析结果是否准确以及检测系统杂散辐射指标是否合格.     

D6122电路指令码实现剖析

本文以对红外遥控发射集成电路D6 1 2 2工作原理的介绍为基础 ,探讨了电路D6 1 2 2指令码的实现 ,着重剖析了键盘矩阵 ,用户码和功能码的实现。     

E/D PMOS中的几种电路结构介绍

本文阐述了E/D PMOS工艺应用于电路设计的特点，重点分析几种常用的电路结构。     

铝基薄膜忆阻器作为感觉神经系统的习惯化特性

感觉神经系统可在外界刺激与生物体反应之间建立联系.感觉神经系统中的最小单位神经元可直接将外界刺激传递至中枢神经,再由中枢神经通过控制和调节生物体对外界刺激作出反应.神经突触连接了相邻神经元进行脉冲信息传递功能.习惯化是神经突触在信息传递中过滤外界无关信息时的一个基本特性,可以让感觉神经系统更快速地适应外界环境变化.忆阻器模拟神经突触功能在近年获得进展,然而针对以忆阻器为基础的具有习惯化特性的神经突触以及完整神经系统的研究相对匮乏.本文利用磁控溅射技术制备了厚度约为40 nm且含铝纳米颗粒的氮化铝薄膜忆阻器,并发现这种结构忆阻器对于重复的外界刺激有明显的习惯化行为,该行为与感觉神经系统的习惯化特性极为相似.若将这种具有习惯化的神经突触与感觉神经元串联,可形成LIF(leaky integrate-and-fire)生物模型模拟完整的神经系统行为,也为忆阻器在第三代神经网络(脉冲神经网络)中的应用提供理论参考.     

分级多孔γ-Al2O3空心微球微波水热法制备及其对刚果红的快速吸附

以KAl(SO₄)₂和尿素为前驱体,通过微波水热法于180 ℃反应20 min,经600 ℃焙烧2 h制得分级多孔γ-Al₂O₃空心微球.所制备的样品被用于吸附典型有机染料刚果红(CR)溶液.结果表明,制备的γ-Al₂O₃空心微球直径为0.8-1.0 μm,厚度约为200 nm.此γ-Al₂O₃空心微球具有高的比表面积(243 m²·g^-1)和分级大孔-中孔结构,此结构非常有利于液相过程中的质量传递.微波水热法制备的γ-Al₂O₃空心微球比水热法制备的γ-Al₂O₃和商用的γ-Al₂O₃样品显示出更快和更强的吸附性能.此样品的吸附数据很好地符合假二级速率方程和Langmuir吸附理论模型.从Langmuir吸附理论模型计算得到微波水热法制备的γ-Al₂O₃空心微球的最大吸附量(q_max) 25 ℃时高达515.4 mg·g^-1.由于具有分等级结构、高比表面积、大的孔容和吸附能力,微波水热法制备的γ-Al₂O₃空心微球样品有望成为一种具有很好应用潜力的环境吸附剂.     

600 V高低压兼容BCD工艺及驱动电路设计

基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件,在国内3μmCMOS工艺基础上,开发出8～9μm薄外延上的600VLDMOS器件及高低压兼容BCD工艺,并设计出几款600V高压半桥栅驱动电路。该工艺在标准3μm工艺基础上增加N埋层、P埋层及P-top层,P埋层和P阱对通隔离,形成各自独立的N-外延岛。实验测试结果表明:LDMOS管耐压达680V以上,低压NMOS、PMOS及NPN器件绝对耐压达36V以上,稳压二极管稳压值为5.3V。按该工艺进行设计流片的电路整体参数性能满足应用要求,浮动偏置电压达780V以上。     

全海深载人深潜4K直播报道方案浅析

本文主要介绍了2020年全海深载人深潜项目4K电视直播报道的技术方案设计及具体实现,为海上4K移动直播提供了一种相对全面且可行的实施方案,并兼顾了新媒体应用需求,可适应不同规模的海上媒体应用场景.