用于液晶光阀空间光调制器的ITO透明导电膜的研制

本文介绍了ITO(Indium Tin Oxide)透明导电膜的制备工艺,对影响其光学和电学特性的因素作了分析。并讨论了透明导电的机理,在K9玻璃上制备的ITO透明导电膜,在500～600nm波长范围内,典型的峰值透过率为90％,面电阻为40～50Ω/□。用该技术制备的样品作为透明电极,在液晶光阀空间光调制器中得到了应用。     

小型CRT－LCLV组合器件

选用１英寸阴极射线管（ＣＲＴ）和液晶光问（ＬＣＩ－Ｖ）研制成直径１英寸的ＣＲＴ－ＬＣＬＶ组合器件，介绍了组合器件的工作原理、制作工艺和性能指标，并给出了在小型光学相关器上的应用实例．     

改进的Householder多级维纳滤波方法

该文以GPS接收机空时抗干扰为应用背景,给出了一种改进的基于Householder多级维纳滤波的降维方法。该方法保留了原算法的前向递推过程,并利用多级维纳滤波的分解特性,对其后向迭代过程进行改进,得到一种阶递归的实现结构,大大提高了算法的实时性。分析表明,改进方法的运算复杂度与原算法接近,并远低于基于相关相减多级维纳滤波(CSS-MWF)的算法。仿真实验验证了算法的抗干扰性能。     

双层CdS／CdSe光电导薄膜的制作和光电特性

提出并采用真空热蒸发技术制备了一种新型的多元掺杂（Ｃｌ，Ｃｕ）敏化的ＣｄＳ／ＣｄＳｅ双层光电导薄膜。研究了这种光电导薄膜的暗电导和亮电导、响应时间，以及光谱响应等主要光电特性与初始材料比例、掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例等工艺参数的关系。实验表明：适宜的掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例可使暗电导降低而亮暗电导比提高，响应时间比未掺杂薄膜的显著降低；而光谱响应特性则可以通过控制ＣｄＳ／ＣｄＳｅ之比加以优化。     

电致变色薄膜锂化技术的研究

提出了一种新的电致变色薄膜的锂化方法，通过电子枪蒸镀锂单质，提高了锂的离化率，从而提高了锂化效果，采用此技术研制的全固态电致变色薄膜器件获得了较好的变色特性，透射式和反射式全固态电致变色薄膜器件的变色性能分别为５０％￣５％和７０％￣２０％。     

S枪磁控溅射淀积非晶硅光电导薄膜的制备工艺及特性研究

本文介绍用直流磁控S枪在H_2/Ar混合气体中反应溅射单晶硅靶淀积a-Si:H光电导薄膜的制备工艺。研究了用这种技术制备的a-Si:H薄膜的光学特性(透射率光谱、光学常数和光学带隙等)、晶相结构(用电子衍射图谱)、红外吸收光谱和光电导性能。并讨论了制备工艺条件与薄膜微结构和性能的关系。     

基于匹配滤波的静态红外地平仪信息处理方法

针对国内静态红外地平仪探测器信噪比较低,传统地平检测方法定姿精度不高的现状,基于典型的静态地平仪设计,在分析探测器采样信号序列全局特征的基础上,设计了一套基于匹配滤波的信息处理算法,经仿真验证可以有效提高地平仪的定姿精度.     

铁电液晶空间光调制器氢化非晶硅薄膜 p—i—n光敏层的研究

描述了氢化非晶硅／铁电液晶空间光调制器的结构和工作原理，并从器件的电学模型出发，着重讨论了整体器件对光敏层的特性要求，对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜ｐ－ｉ－ｎ光敏层的制作和光电特性进行了研究。