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微腔光频梳,又称微腔梳,是通过腔内四波混频过程产生的一种高相干宽谱的集成光源,有着优异的时频特性,可用于超精密分子光谱、相干通信、激光雷达、轻型化装备等测量应用,是基础科学、计量学及军事装备的重要工具,是一项颠覆性的技术。报道了一种集成氮化硅（Si3N4）微腔光频梳器件制备的关键技术,提出了一种方法平衡Si3N4的应力、厚度和化学计量之间的矛盾,以满足反常色散和减少双光子吸收的要求。利用这种改进的大马士革工艺微结构降低Si3N4厚膜的应力,减少应力缺陷对器件性能的影响,实现高品质Si3N4薄膜的可控制备。在微腔刻蚀工艺中,采用30 nm氧化铝牺牲层补偿掩模抗刻蚀能力,实现微环和波导侧壁粗糙度小于15 nm,满足了微腔高Q值的要求。经双光泵浦测量得到1 480~1 640 nm波段内的宽光谱高相干克尔光频梳。 相似文献
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基于金属纳米结构增强光与物质的相互作用,调控光学响应是光学前沿研究。金属纳米结构能显著增强电磁场和热点空间位置调控,是表面等离激元器件应用的关键。借鉴衍射光学元件设计思想,文中提出一种简单的多尺度叠层圆柱台（double stacked nanocone,DSC）金属纳米结构,实现近/远场深度调控。在给定激发条件下,DSC纳米结构中腔模与局域表面等离激元模式间产生杂化,实现多尺度级联场增强,远场响应也得到有效调制,且热点能有效地定位到纳米结构的上表面。进一步,提出并研究了掩模重构的纳米加工方法,低成本、可控地制备了DSC纳米结构,工艺控制是三台阶DSC器件特性的关键,实验结果与理论设计一致。 相似文献
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本文主要对高镍三元材料（Li(Ni0.85Co0.1Mn0.05)O2,Ni85）和常规低镍三元材料（Li(Ni0.6Co0.2Mn0.2)O2,Ni60）两种三元材料的相变电压范围进行了划分和测定,以研究两种材料相变规律的区别,并进一步分析得出高镍材料在充电过程中的结构稳定性相对较弱的原因。本文主要采用了XRD、dQ·dV-1以及SEM的表征方式对两种材料的相变、结构变化及颗粒表面的形貌进行分析。并得出以下结论,高镍正极在3.0 V ~ 4.2 V范围内充电时经历了H1→M→H2→H3的三次相变过程,最终产物为H3相。而传统Ni60材料在相同电压范围内只经历了H1→M的相变过程,当过充至4.550 V时,Ni60材料可达到H2相,继续过充至5.000 V后,可完成H3相的转变。因此,高镍正极材料在正常充电电压范围内即完成了H3相的相转变过程,其较低的相变电压阈值是其结构稳定性较差的原因。 相似文献
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