Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

砷化镓激光器脊型波导的制备

本文主要研究了用湿法腐蚀的方法制备砷化镓激光器脊型波导,具体研究了砷化镓（GaAs）、铟镓磷（ InGaP）、铝镓铟磷（AlGaInP）材料的腐蚀。本文还成功地配制了能同时腐蚀铟镓磷和铝镓铟磷材料的腐蚀液。我们还分析了腐蚀时间和腐蚀浓度对脊型形状和脊型深度的影响。最后,在合适的条件下,本文得到了合适的脊型深度和光滑的脊型表面,而且得到的脊型的陡直度很小。这些结果表明这些腐蚀液将有用于激光器的制备。     

引入GaN过渡层对Si（111）衬底上生长GaN外延的影响

本文研究了在Si(111)衬底上生长GaN外延层的方法。相比于直接在AlN缓冲层上生长GaN外延层,引入GaN过渡层显著地提高了外延层的晶体质量并降低了外延层的裂纹密度。使用X射线双晶衍射仪、光学显微镜以及在位监测曲线分析了GaN过渡层对外延层的晶体质量以及裂纹密度的影响。实验发现,直接在AlN缓冲层上生长外延层,晶体质量较差, X射线(0002)面半高宽最优值为0.686°,引入GaN过渡层后,通过调整生长条件,控制岛的长大与合并的过程,从而控制三维生长到二维生长过渡的过程,外延层的晶体质量明显提高, (0002)面半高宽降低为0.206°,并且裂纹明显减少。研究结果证明,通过生长合适厚度的GaN过渡层,可以得到高质量、无裂纹的GaN外延层。     

等温气液平衡盐效应的研究——有机溶剂-水-无机盐体系

本文报导了甲醇-水-氯化锂、乙醇-水-氯化锂、丙酮-水-氯化锂和丙酮-水-碳酸钾体系在298.15 K时的等温气液平衡数据, 以及用三参数Margules公式的关联结果。提出了由等温气液平衡数据计算混合溶剂中盐的溶剂化数的理论公式。     

基于本体论的网格服务组合方法

针对网格服务组合环境模拟的需求，在本体论的基础上提出了一种网格服务组合方法（GSCM）,该方法能较好地解决网格服务间的逻辑关系，实现了网格服务间的动态交互、动态组合。试验数据表明，此方法是有效且可行的，对网格服务集成做了一次有意义的尝试。     

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.     

生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加.     

基于改进的YOLOX家用燃气表检测算法

针对家用燃气表人工集中抄表作业过程中检测背景复杂、实时性差、数字目标小等问题,提出了一种基于改进的YOLOX家用燃气表数字检测算法S-YOLOX。首先,削减CSPDarknet结构,降低主干网络的深度;其次,对特征金字塔进行调整,加强小目标物体检测;最后,修订PANet和Head结构的激活函数,解决梯度轻微爆炸问题。实验结果表明,SYOLOX算法不仅减少了模型的参数量,而且提高了检测精度,其中S-YOLOX-l模型平均精度(mAP)达到了94.9%,提高了2.2%,模型大小仅为原模型的32.9%。     

数列的新靓点——派生数列

2008年的数学高考考试大纲中,数列部分有一类能力要求为A,其余三类的能力要求均达到C级,它们分别是等差数列、等比数列以及数列的综合应用.对于能力C级,即为灵活和综合应用,要求学生系统地掌握知识的内在联系,能运用所列知识分析和解决较为复杂或综合性的问题.……     

虚拟教研室环境生态建设分析

<正>虚拟教研室是新的教学组织形态，需要建设与其基本特点相适应、符合其内在发展规律并可持续健康发展的环境生态。这一环境生态应该遵循必须坚持成为教学学术研究共同体的定位、必须围绕核心学科建立完整研究链条、必须实现基于社会需求的交叉融合等三项原则。通过不断探索虚拟教研室的评价维度、贯通发展绩效与责任机制的联接、推进信息技术与教育方法的融合、增强育人综合平台的亲和力等途径，探讨虚拟教研室健康成长可能需要的环境生态。