聚醚树枝体线性聚(N-异丙基丙烯酰胺)不对称嵌段共聚物的 合成及自组装

采用原子转移聚合方法合成了聚N-异丙基丙烯酰胺和聚醚树技体的不对嵌段共聚物Dendr.PE-PNI-PAM。实验结果表明Dendr.PE-PNIPAM分子在水中能通过疏水缔合作用形成具有双分子膜结构的超分子聚集体。临界缔合浓度(CAC)、聚集体的大小及形貌对树枝体的代数具有明显的依赖关系。该聚集体对温度刺激具有响应性,并在人体体温温度(37.5℃)发生相转变。在高于相转变温度时,Dendr.PE-PNIPAM分子形成管状、带状等多重形态的超级结构的聚集体。     

继电器的耐久性寿命试验及其寿命分布规律

本文以某一继电器的耐久性寿命试验为例,探索了继电器的寿命分布规律,用最小二乘法按威布尔分布进行了拟合,并进行了假设检验,然后用最好线性无偏估计(BLUE)得出了该继电器寿命特征的估计值。     

三维CMOS集成电路技术研究

论述了三维集成电路(3DIC)的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外延过生长技术和键合技术.并基于SiGe材料特性,提出了一种新型的Si-SiGe三维CMOS结构,即将第一层器件(Si nMOS)做在SOI(Si on insulator)材料上,接着利用SiO2/SiO2低温直接键合的方法形成第二层器件的有源层,然后做第二层器件(SiGe pMOS),最终形成完整的三维CMOS结构.与目前所报道的Si基三维集成电路相比,该电路特性明显提高.     

特高频放大器用的AlGaAs/GaAs异质结弹道双极晶体管

本文介绍利用异质结注入和GaAs中电子弹道运动的AlGaAs/GaAs异质结弹道双极晶体管(简称BBT)的理论和设计。指出并讨论了成功地实现这种新型特高频(EHF)三端固体器件的主要因素。我们首次提出,发射结的理想结构要有适当的铝浓度及适当的掺杂剖面分布,并且首次提出“倒置”异质结双极器件的结构。所提出的倒置BBT结构的优点是减小基极电流和减小具有重大影响的发射极-基极电容。这种新型器件的性能使三端固体器件成为首先实现特高频范围(60GHz以上)放大和GaAs千兆赫比特逻辑组件方面十分引人注意的候选者。我们相信,BBT在模拟和数数字MMIC、M~3IC方面应用是一种有极大希望的新型三端器件。     

宽禁带半导体金刚石

较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景.同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势.该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量.对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析.最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜目前需要解决的关键问题及其发展方向.     

煤粉炉内颗粒辐射特性的检测与分析

在一台200 MW机组煤粉炉上开展了炉内颗粒介质辐射特性的检测与分析.采用火焰图像处理技术及辐射传递逆求解方法检测了炉内三个横截面的颗粒介质的吸收系数和散射系数,同时采用水冷枪抽气取样装置对炉内燃烧介质中的颗粒物进行了采样.实验结果表明,炉膛中燃烧器区域的颗粒辐射特性相对较大,炉膛出口处的颗粒辐射特性最小;其的辐射特性与颗粒含碳量成正比;颗粒表面较为光滑的飞灰,其辐射特性相对较小,而表面凹凸不平的焦炭颗粒,其辐射特性相对较大.     

12GHz平面型低噪声GaAs MES FET

本文从考虑了GaAs外延层与衬底的界面陷阱效应的等效电路出发,对影响器件噪声的主要因素进行了理论分析,给出了器件设计范围内的噪声系数与等效电路参数、器件结构参数、材料参数和工作频率的关系曲线。提出了氧离子注入的新型平面器件结构,用普通接触式补偿光刻法制作了亚微米栅条,所得器件比普通台式器件具有更低的微波噪声。在12GHz下,噪声系数为3.5dB,相应的增益为5dB。给出了2～12GHz全套S参数。器件平均工作寿命达2×10~7小时。进行了2～12GHz范围内微波低噪声放大器、混频器和振荡器等应用试验,取得了初步的良好结果。     

基于智能剥离技术的SOI材料制备

优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程，在550℃，2.1×10^-2 Pa条件下制备了SOI材料，其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5 nm，缺陷密度为90 cm^-2，键合强度达到153.7 kg/cm²，形成的SOI结构除了可以形成三维集成电路中有源层间良好的绝缘层，避免了高温过程对有源层器件结构、材料及性能的影响，还能为三维集成电路后续有源层的制造提供高质量的单晶硅材料. 关键词： 绝缘体上硅 智能剥离 低温直接键合     

发展我国卫星应用服务的设想

发展卫星应用服务是当前一项紧迫任务。本文根据我国卫星应用的发展落后于应用卫星发展的现状,提出了发展我国卫星应用服务的总体设想及具体建议。