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对一种基于玻璃隔热桥结构芯片级原子钟物理系统进行了热学分析。通过理论方法对真空下无封装外壳物理系统各个导热路径进行了分析,同时用有限元方法分析了镀金涂层对其功耗的影响,并且进行了实验验证。实验表明:无封装外壳情况下,在工作区部分外表面镀金涂层可以使物理系统总功耗从93.6 mW降低到72.4 mW,实验值与有限元仿真结果一致。最后对真空下有封装外壳物理系统进行了有限元仿真,仿真结果表明:给工作区部分外表面镀金涂层物理系统盖上封装外壳,可以使物理系统总功耗降低至57.2 mW,在基座和封装外壳内表面都镀上金涂层可以使物理系统总功耗进一步降低至34.8 mW。 相似文献
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利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN隔离层的时间为12 s(1 nm左右)时,HEMT材料的方块电阻最小,电子迁移率为1 500 cm2·V-1·s-1,二维电子气(2DEG)浓度为1.16×1013 cm-2。AFM测试结果表明,一定厚度范围内的AlN隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。HRXRD测试结果表明,AlGaN/AlN/GaN具有好的异质结界面。 相似文献
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