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1.
采用表面效应集总模型综合考虑表面费米能级钉扎和表面复合效应，对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ表面效应的影响进行了二维数值模拟。结果表明，表面态的存在对集电极电流几乎不产生影响，但显著增加基极电流，使得电流增益明显下降。同时还发现在台面结构ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ中外基区表面复合的集边效应，即外基区表面复合主要发生在发射极台面与外基区的交界处附近，与外基区长度基本无关。模拟还表明基区缓变结构可以减少表面复合，提高电流增益。 相似文献
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针对应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的应变致能带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了多子双带结构的等价有效简并度模型和有关算法。模型中考虑了非抛物线能带结构。应用该模型，计算了赝形生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当掺杂超过一定浓度（对于ｐ型和ｎ型合金，该浓度分别约为１．９×１０１９ｃｍ－３和３．５×１０１９ｃｍ－３）后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于这个浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降。文中还将计算结果与其它未细致考虑应变致能带分裂因素的理论工作进行了比较。 相似文献
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计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价带有效态密度随之快速减小，而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组分ｘ的增加而减小得越快，而本征载流于浓度上升得越快。同时还发现，具有大Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积对温度Ｔ的依赖关系弱，而具有小Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，上述归一化参数对温度Ｔ的依赖关系强，这和目前仅有的文献［８］中，它们与温度依赖关系的定性研究结果相一致。 相似文献
4.
基于异质结漂移－扩散模型，考虑Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计和重掺杂能带窄变（ＢＧＮ）效应，对具有非均匀掺杂基区的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ进行了数值模拟．结果表明，当基区非均匀程度较大时，非均匀掺杂引起的基区自建场远大于ＢＧＮ效应产生的反向场．基区非均匀掺杂能提高电流增益，但提高的幅度随非均匀程度的增加而减慢．基区非均匀掺杂可明显改善截止频率ｆＴ，但同时也增加了集电结空间电荷区渡越时间τｃ，ｓｃＲ，使得ｆＴ在非均匀程度较大时开始下降．发射极－集电极ｏｆｆｓｅｔ电压在一定的非均匀程度下达到最佳值． 相似文献
5.
应用权函数的方法,给出了一个新的实齐次核的Hilbert型积分不等式及其等价形式,同时证明了常数因子的最佳性. 相似文献
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本文较系统和全面地总结了ＧａＡｓ和ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ材料的物理参数模型，包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等，给出了易于应用的数学公式，其中ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ重掺杂能带窄变公式为本文首次推导。这些物理参数模型对于ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结器件的研究有着十分重要的意义。 相似文献
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本文计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度．首次用解析的方法研究了它们与Ｇｅ组份ｘ和温度Ｔ的依赖关系．我们发现，随Ｇｅ组份ｘ的增加，由于Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层中应力的影响，导带和价带有效态密度随之快速减少，而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加．而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组份ｘ的增加而减少得越快，而本征载流子浓度上升得越快．同时，我们还发现，具有大Ｇｅ组份ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ的相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积与温度Ｔ的依赖关系弱，而具有小Ｇｅ组份ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，上述归一化参数与温度Ｔ的依赖关系强，这和目前仅有的文献［８］中它们于温度依赖关系的定性研究结果相一致．本文得到的定量结果对探索应变ＳｉＧｅ层的物理性质、对应变ＳｉＧｅ层基器件的设计、模拟及对低温ＳｉＧｅ器件物理的理解有重要意义． 相似文献
10.
引入二对共轭指数,应用权函数的方法,给出一个新的有最佳常数因子并在全平面积分的Hilbert型不等式,同时考虑了对应的等价式. 相似文献