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1.
采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真结果表明,该LNA在2.0~4.2 GHz频段内,最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右,输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14) dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。 相似文献
2.
随着宽带综合业务的发展,如何向用户提供端到端的QoS保证,成为一个热门的话题.文章描述了基于DSLAM的接入网QoS模型,并依据DSLAM在宽带综合业务接入网中的位置给出了可行的解决方案. 相似文献
4.
GMPLS中基于子网保护的LSP保护机制探讨 总被引:1,自引:1,他引:0
主要探讨了GMPLS中基于子网保护的LSP保护机制。首先描述了子网保护机制的含义;然后,重点分析了子网保护机制的实现过程,并对子网保护机制中存在的入口问题提出了相应的解决方案;最后,通过比较说明了该保护机制的优点。 相似文献
5.
Haotian Du 《中国物理 B》2022,31(6):64210-064210
A switchable terahertz (THz) polarization converter based on vanadium dioxide (VO2) metamaterial is proposed. It is a 5-layer structure which containing metal split-ring-resonator (SRR), the first polyimide (PI) spacer, VO2 film, the second PI spacer, and metal grating. It is an array structure and the period in x and y directions is 100 μm. The performance is simulated by using finite integration technology. The simulation results show that, when the VO2 is in insulating state, the device is a transmission polarization converter. The cross-linear polarization conversion can be realized in a broadband of 0.70 THz, and the polarization conversion rate (PCR) is higher than 99%. Under thermal stimulus, the VO2 changes from insulating state to metallic state, and the device is a reflective polarization converter. The linear-to-circular polarization conversion can be successfully realized in a broadband of 0.50 THz, and the PCR is higher than 88%. 相似文献
6.
采用溶胶-超声辐照技术同步合成了生物质C-N-P自掺杂TiO_2复合催化剂,通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(FESEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis-DRS)及光致发光光谱(PL)对样品进行了表征.以亚甲基兰(MB)为目标污染物,研究了C-N-P共掺杂TiO_2的可见光光催化性能.实验结果表明,在可见光照射下,光催化反应时间为2 h时,C-N-P共掺杂TiO_2复合催化剂对亚甲基兰的降解效率最高可达9 8.5%;相比纯TiO_2,C-N-P共掺杂TiO_2复合催化剂的比表面积增大,吸收边带红移,禁带宽度减小,相变温度升高,光生载流子复合率降低. 相似文献
8.
分析了移动自组网的先应式路由协议DSDV和按需路由协议AODV与DSR,并通过网络仿真软件ns2进行了仿真实验,对其分组投递率,端到端平均时延、吞吐量、路由开销等方面的性能进行了分析和比较.实验结果表明,按需路由协议具有更好的性能. 相似文献
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10.
基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器。采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失真和相位失真,实现了高线性度;利用二次谐波终端电容改变电路工作模式,减少时域电压电流的重叠损耗功率,提高了功率附加效率。结果表明,在3.4 V电源电压、2.8 V偏置电压时,在工作频带815~915 MHz范围内,该功率放大器的增益大于29.5 dB,输入回波损耗小于-13.2 dB;在10 MHz LTE输入调制信号、28 dBm回退输出功率时,功率附加效率为39%~41%,第一相邻信道泄漏比ACLR1小于-38.1 dBc,第二相邻信道泄漏比ACLR2小于-44.8 dBc。 相似文献