基于局部差别的形态学边缘检测方法研究

图像边缘特征是图像最基本也是最重要的特征之一.图像边缘特征的提取一直是计算机视觉和图像处理领域的经典研究课题,在精确制导武器的制导图预处理中有着广泛地应用.针对经典的边缘检测算子不能很好地提取噪声图像边缘这一问题,在数学形态学的基础上,提出了一种边缘提取方法.利用局部差别准则确定图像中受噪声影响的像素点,并对其进行形态学操作,滤除噪声,保存边缘.实验表明,该算法不仅具有很好的边缘提取能力,还具有很强的抗噪能力.说明了该算法的有效性和实用性.     

基于改进AHP算法的某武器质量评估研究

武器的质量评估是其研制和维护过程中的重要环节,在定期检验次数有限的情况下,质量评估的精确率一直是影响战斗力生成的瓶颈。以层次分析法（AHP）递阶层次思想为主导,基于BP神经网络,结合指数评估法,提出了质量评估的一种改进算法：基于层次分析的神经网络算法,并给出了建立模型的方法和步骤,模型有效解决了精确率在武器质量评估中的...     

CdS形貌可控制备及其可见光分解水产氢性能

以还原型谷胱甘肽(GSH)作为硫源和结构导向剂水热法“一壶”制备系列硫化镉(CdS)光催化材料,采用透射电镜(HRTEM)、场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见漫反射(UV-Vis)、荧光光谱(PL)、比表面分析仪(BET)和光解水产氢反应等对催化材料的微观表面结构、光吸收性能以及光催化性能进行了研究。结果表明：通过调节反应物的nCd/nS比和水热温度等参数可控的制备出分散性好的CdS实心纳米球(s-CdS)、空心纳米球(h-CdS)以及纳米棒(r-CdS)等不同微观形貌的光催化材料。对比研究了不同形貌光催化剂的光解水产氢的宏观性能,发现s-CdS产氢活性最高,h-Cd次之,r-CdS最差。这一结果可归结于构成实心球表面亚微晶的粒径相比其它形貌的小,导致电子-空穴对快速迁移至表面并与溶液反应,抑制体相复合,导致生成的氢气量大大的提高。     

晶粒尺寸对Ba0.70Sr0.30TiO3陶瓷介电性能的影响规律及机理研究

通过制备晶粒尺寸处于0.1-10 μm之间的致密Ba0.70Sr0.30TiO3陶瓷,系统研究了晶粒尺寸对居里温度TC、铁电相介电常数εF、峰值介电常数εM的影响规律,并深入分析了其内在的影响机理.研究表明:晶粒尺寸减小时,TC刚开始基本不变,直到晶粒尺寸小到一定程度时才开始降低,此变化规律可由Buesseum的内应力模型解释;随晶粒尺寸的增加,εF先增加后减小,此变化规律可由Shaikh的串并联模型来解释,主要影响因素有内应力、畴、晶界;εM随晶粒尺寸的增加,在晶粒尺寸较小时先增加后减小,晶粒尺寸较大时略有增加,此变化规律可由弥散相变理论和串并联模型共同解释,在晶粒尺寸较小时主要影响因素为内应力、微畴和晶界,晶粒尺寸较大时主要影响因素为晶界.     

等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响

进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型.计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响.利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了等效表面电荷密度对台面半导体钝化的影响.同时,通过分别采用聚酰亚胺和掺氧多晶硅钝化的高压整流管研究表明,基于掺氧多晶硅的钝化结构具有屏蔽电荷和均匀电场的作用.     

CdS形貌可控制备及其可见光分解水产氢性能

以还原型谷胱甘肽(GSH)作为硫源和结构导向剂水热法“一壶”制备系列硫化镉(CdS)光催化材料,采用透射电镜(HRTEM)、场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见漫反射(UV-Vis)、荧光光谱(PL)、比表面分析仪(BET)和光解水产氢反应等对催化材料的微观表面结构、光吸收性能以及光催化性能进行了研究。结果表明:通过调节反应物的nCd/nS比和水热温度等参数可控的制备出分散性好的CdS实心纳米球(s-CdS)、空心纳米球(h-CdS)以及纳米棒(r-CdS)等不同微观形貌的光催化材料。对比研究了不同形貌光催化剂的光解水产氢的宏观性能,发现s-CdS产氢活性最高,h-Cd次之,r-CdS最差。这一结果可归结于构成实心球表面亚微晶的粒径相比其它形貌的小,导致电子-空穴对快速迁移至表面并与溶液反应,抑制体相复合,导致生成的氢气量大大的提高。     

微观形貌可控TiO2的制备及其光解水产氢性能

通过简单的沉淀、水热、溶剂热和溶胶凝胶法分别制备出实心球（s-TiO₂）、空心球（h-TiO₂）、纳米管（a-TNT）和介孔形状（m-TiO₂）的锐钛矿晶型结构TiO₂光催化材料。采用HRTEM、FESEM、XRD、UV-Vis、N₂吸-脱附和光解水制氢反应等对催化材料的微观表面结构、光吸收性能以及不同形貌光催化剂的光解水制氢的性能对比研究。结果表明：s-TiO₂具有最高的光催化活性,主要归功于s-TiO₂独特的微观形貌结构所致,s-TiO₂是由亚微晶颗粒组成的介孔状实心球,亚微晶粒径相比较其它形貌的材料要小,有利于光生载流子的迁移,抑制电子-空穴对的体相复合,导致活性提高。同时,晶化过程用于传质通道的无序微孔可以束缚用作牺牲剂的CH₃OH分子,使得空穴快速被牺牲剂消耗,减少与电子复合。     

雷达抗干扰性能的评估模型研究

雷达的抗干扰(ECCM)性能成为现代雷达的重要参数,如何客观、全面地评估雷达性能,是装备研制和使用均关注的问题,分析了雷达干扰环境,构建了雷达评估指标体系,建立了抗干扰评估模型,得到了评估结果 ,最后对结果进行了简要分析。     

37BiScO_3-63PbTiO_3铁电陶瓷的极化翻转行为研究

在正弦电场E=E0sin(2πft)加载下,通过改变电场E0(5—55kV/cm)和频率f(0.1—100Hz),测量了37BiScO3-63PbTiO3铁电陶瓷材料的电滞回线.数据拟合结果表明:在低电场和高电场阶段,剩余极化强度Pr的对数和矫顽场强Ec的对数都与电场强度E0的对数存在线性关系,而介于高电场与低电场之间则无线性关系存在,这种三阶段行为有别于现有的两阶段行为.这可归结于铁电陶瓷在不同的电场作用下铁电极化机理的不同.     

A 4H-SiC trench MOSFET structure with wrap N-type pillar for low oxide field and enhanced switching performance

An optimized silicon carbide (SiC) trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) structure with side-wall p-type pillar (p-pillar) and wrap n-type pillar (n-pillar) in the n-drain was investigated by utilizing Silvaco TCAD simulations. The optimized structure mainly includes a p$+$ buried region, a light n-type current spreading layer (CSL), a p-type pillar region, and a wrapping n-type pillar region at the right and bottom of the p-pillar. The improved structure is named as SNPPT-MOS. The side-wall p-pillar region could better relieve the high electric field around the p$+$ shielding region and the gate oxide in the off-state mode. The wrapping n-pillar region and CSL can also effectively reduce the specific on-resistance ($R_{rm on,sp}$). As a result, the SNPPT-MOS structure exhibits that the figure of merit (FoM) related to the breakdown voltage ($V_{rm BR}$) and $R_{rm on,sp}$ ($V_{rm BR}^{2}R_{rm on,sp}$) of the SNPPT-MOS is improved by 44.5%, in comparison to that of the conventional trench gate SJ MOSFET (full-SJ-MOS). In addition, the SNPPT-MOS structure achieves a much faster-witching speed than the full-SJ-MOS, and the result indicates an appreciable reduction in the switching energy loss.