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本文提出了用于数字控制PFC中的一种新颖的数字控制算法,称为预测算法。它可以得到较高的PF值,并且随着输入电压或者负载电流的变化有近似最快的动态响应。对于一个确定的系统,预测算法根据系统当前的状态参数,可以估算出输出电压和电感电流在下一个开关周期的变化趋势,并且得到一组完美跟踪输入电压轨迹最优的控制序列。在多种仿真条件下的仿真结果证实了预测算法的有效性。当输入电压从90V到265V,负载电流从20%~100%范围变化时,PF值都大于0.998。启动时间和恢复时间分别约为0.1s和0.02s,且无超调。实验结果也验证了设计的有效性。 相似文献
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研究了高压VDMOS内部电子流向的变化,提出了其近似解析表达式,在此基础之上,求得了电子密度分布变化的解析表达式,从而建立了高压VDMOS的一种改进静态物理模型。计算结果表明,由于这一模型是基于更为合理的电子流向变化和电子密度分布变化的解析表达式而建立的,所以与Yeong-seuk Kim等人模型和参考文献[2]的模型相比,在较大的工作电压范围内,其计算精度的提高都是非常显著的。 相似文献
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PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计 总被引:2,自引:0,他引:2
设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作 相似文献
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A sub-circuit SPICE model of a MOSFET for low temperature operation is presented.Two resistors are introduced for the freeze-out effect,and the explicit behavioral models are developed for them.The model can be used in a wide temperature range covering both cryogenic temperature and regular temperatures. 相似文献
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