毫米波微带键合金丝互连模型的研究

本文应用神经网络方法、采用FDTD全波分析结果作为训练样本得到了毫米波微带键合金丝互连的参数模型．这个神经网络模型可以指导毫米波集成电路的设计，利用该模型可以得到不同拱高、微带间隙和频率时的电路散射参数．实验测试了键合金丝互连的散射参量并与神经网络模型的结果进行了比较分析．     

一种新型毫米波集成波导微带转换的分析与设计

提出一种新型集成于单层微带基片的毫米波集成波导微带转换 ,由一圆形微带谐振器、微带共面波导探针组成。利用全波分析软件对该转换器进行了分析计算、优化设计。测试了波导微带转换实物 ,结果表明 ,在Ka波段在 1 GHz频带内 ,该波导微带转换具有较低的插入损耗 ( <0 .4d B)和反射损耗 ( <-1 4d B)。可满足相关毫米波微带集成电路系统的应用要求。     

高精度数控微波移相器设计

使用DDS级联数字移相器和PLL技术相结合的方法,实现了一种新型的微波信号移相器,可针对单音微波信号进行精确数字控制移相,最高移相分辨率远超过常规DDS移相器,达到了2π×2-24rad.介绍了系统设计方案及电路工作原理,并给出了实验结果.此电路适用于需要精确控制两路或多路正弦信号相对相位移的应用场合,经过电路扩展,还可用于带限信号的精确移相.     

Li、Ce掺杂对NBTa-CBN高温压电陶瓷性质的影响研究

采用传统固相反应法制备了Ca_0.5(Na_0.5Bi_0.5)_0.5-3x(Li_0.5Ce_0.5)_3xBi₂TaNb_0.99Mn_0.01O₉(CNBTNM-LC100x)高居里温度(T_C)压电陶瓷。研究了Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,随着Li、Ce掺杂量的增加,CNBTNM-LC100x陶瓷的晶体结构趋于由正交相向四方相转变,压电常数d₃₃逐渐增大,当x＞0.04(x为摩尔分数)时,d₃₃趋于降低。x=0.04时,具有最优的综合电学性能,d₃₃约为15.9 pC/N,600 ℃下直流电阻率ρ约为5.9×10⁵ Ω·cm,介电损耗tan δ(1 MHz)约为7%,T_C约为887 ℃。     

同轴腔带通滤波器的一种设计方法

采用负阻线子网络…构造了多腔耦合的同轴带通滤波器电路模型，应用电路分析软件对滤波器进行了分析优化，得到腔体之间耦合系数和接入点位置。应用三维全波分析软件，分析了腔体结构参数与耦合系数和耦合窗的关系。以这种路和场的仿真、优化相结合的方法，得出了滤波器的耦合和输入输出结构参数。运用该方法设计的中心频率2．4GHz，通带100MHz的六腔滤波器的实际测试结果与仿真分析结果基本一致。     

纤维再生混凝土劈裂抗拉力学性能试验研究

为研究纤维再生混凝土(FRAC)的抗拉性能,以纤维类型和再生骨料取代率为变化参数,对4种纤维再生混凝土进行劈裂抗拉试验。试验观察了试件的破坏形态,获取了FRAC的荷载-位移曲线及抗拉强度等数据,并深入分析了变化参数对FRAC劈裂抗拉力学性能及耗能能力的影响规律。结果表明：与碳纤维、聚丙烯纤维和聚乙烯醇纤维相比,钢纤维的增韧效果更明显,且掺入钢纤维可有效提高再生混凝土的劈拉强度与耗能能力;掺入0.3%的碳纤维后,再生混凝土的抗拉强度和拉压比分别平均提高了95.9%和71.8%;掺入聚乙烯醇纤维和聚丙烯纤维对再生混凝土改性效果不显著;随着取代率增加,纤维再生混凝土的劈裂抗拉强度及耗能能力均逐渐降低,拉压比先增大后减小。基于试验数据,文中还提出了FRAC劈拉强度的计算关系式。     

毫米波微带键合金丝互连模型的研究

本文应用神经网络方法、采用FDTD全波分析结果作为训练样本得到了毫米波微带键合金丝互连的参数模型.这个神经网络模型可以指导毫米波集成电路的设计,利用该模型可以得到不同拱高、微带间隙和频率时的电路散射参数.实验测试了键合金丝互连的散射参量并与神经网络模型的结果进行了比较分析.     

自组装膜吸附钯的化学镀前活化研究

提出了一种无需氯化亚锡敏化、基于分子自组装膜（SAMs）吸附钯的活化方法,成功地引发了在氧化铝粉末表面的化学镀铜.用XPS、AES、FTIR研究了钯的吸附机理,认为是由于氯化钯与SAMs上向外突出的氨基形成了化学键,并提出了相应的活化机理.金属化产物经XRD、FTIR、剖面金相显微表征分析与压片电阻率测定,示为金属铜完全包覆氧化铝的复合材料.该活化工艺具有活性引发层厚度薄、寿命长和与基底结合力强等优点,也可应用于其它表面富羟基的基底材料.     

推-推压控振荡器的仿真设计

在对构成推-推振荡器的基本振荡单元进行常规奇偶模分析的基础上,采用添加辅助信号源的方法,对合成后的频率调谐特性、输出功率及基波抑制特性进行了仿真模拟。并利用负载牵引法对二次谐波匹配网络进行了优化。根据仿真结果设计的X波段推-推压控振荡器,采用封装硅晶体管及砷化镓变容管,在1GHz调谐带宽内,输出功率2～8dBm。