In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管

提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管（pHFET）概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气（2DHG）原理以改善GaAs的空穴输运特性,据此原理研制的器件可在室温下工作,其实结果为：室温下,饱和电流Idss=61mA/mm,跨导gm=41mS/mm,77K下,饱和电流Idss=94mA/mm,跨导gm=61mS/mm,预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益,因而具有良好的应用潜力。     

InGaP/GaAs异质结价带不连续性的直接测量

用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｓ９００Ａ 型半导体自动参数测试仪测量了用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结样品的界面Ｃ Ｖ的分布。用多项式逐段拟合的方法,转化得到界面浓度的分布,最后计算得到该体系的价带不连续性ΔＥｖ 为３１６ ｍ ｅＶ,约相当于０．６９ ΔＥｇ     

In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管

提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss=6 1m A/ mm,跨导 gm=4 1m S/ mm;77K下 ,饱和电流 Idss=94 m A/ mm,跨导 gm=6 1m S/ mm。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益 ,因而具有良好的应用潜力。