三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.     

三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.     

三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究，结果表明：常规结构的材料生长简单、容易控制，倒置结构的直流性能低于常规结构，而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂，但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.     

AIGaN／GaN HEMT高温特性的研究进展

回顾了在高温条件下AIGaN／GaN HEMT器件特性的研究进展。发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素，且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特性。最后总结了适合高温下工作的AIGaN／GaN HEMT的改进方法。     

改善显示品质的直下式LED背光技术

通过理论分析,在窄色域液晶屏的背光中选择合适谱线的RGB三基色LED背光,可以将显示器的色域从40%提升至70%。试验结果与理论相符合,但是三基色直下式背光的混光比为1.3∶1,比全白灯背光的1∶1大。在三基色LED背光中加入LED白灯,能够降低混光比。白光灯的亮度逐步增加时,色域会降低。当色域从70.2%下降到63.7%时,白灯发出的亮度占总亮度的30%,混光比也降低为1.1∶1。     

液晶显示器LED背光的夜视兼容特性分析

理论分析了液晶显示器件(LCD)夜视成像系统(NVIS)的评价方法,给出了对比橙绿蓝(OGB)彩色发光二极管(LED)灯中各单色发光芯片对夜视辐亮度贡献大小的方法。制作了具有白光LED和OGB彩色LED灯双模式背光源系统的液晶显示器,实验测得使用白光LED灯作为背光源时,显示器的夜视辐亮度为3.14×10-8W/(cm2·sr·nm),超出国军标(GJB)规定的上限2.2×10-9W/(cm2·sr·nm);而使用OGB彩色LED灯作为背光源时,模块的夜视辐亮度降低到1.958×10-9W/(cm2·sr·nm),满足GJB要求;对比了双模式背光源系统中OGB彩色LED灯中各单色芯片对夜视辐亮度的贡献比例,其中蓝灯最大,橙灯次之,绿灯最小。     

单电压控制的电润湿显示阵列的制备与研究

文章介绍了利用匀胶机甩Teflon薄膜作为疏水亲油介质的方法制备电润湿显示的工艺,在此基础上,通过引入光刻工艺,选用SU-8负胶作为光刻胶,获得了具有良好的油滴浸润性的电润湿显示阵列。实验中获得的显示阵列具有良好的油滴浸润性,油滴在各个显示单元上覆盖全面,小电压时就开始收缩,电压加到30V时,油滴基本上收缩到角落,并且有良好的重复性,有望应用于下一代的显示器件。     

浅谈交通事故信息管理系统的开发

交通事故信息管理系统可以帮助交通和交通事故的管理,使得交通和交通事故的管理更加科学.通过对交通事故信息管理系统所需要的信息记录、功能、模块及模型的探讨,浅显的介绍了交通事故信息管理系统的开发.     

AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究

研究了20℃～-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT的直流特性.随温度降低，电子迁移率增大，而二维电子气密度基本不变，HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降，在一定温度范围内变化不明显，其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外，还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关。     

计算机协议安全漏洞及其防护

随着网络信息技术的不断发展,计算机网络已经运用到人们的日常生活和工作的方方面面,给人们的生活和工作带来极大的便利。然而,网络信息安全问题依然十分严峻,威胁着人们的信息和隐私安全,造成严重的名誉和利益损失。其中,计算机协议安全漏洞问题,就是网络信息安全中的重要问题。本文首先阐述了计算机协议的概念,进而分析了计算机协议存在的漏洞,并提出相应的防护办法和策略,以确保网络用户的信息安全。