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用射频溅射方法制备了无定形锗硅合金 a-Si_(1-x)Ge_x: H膜的光学带隙随x值的增加而单调下降.用最小二乘法将光学带隙数据作线性拟合得到E_g(eV)=1.79-0.98x.当膜中锗的原子百分比从0增加到66%时,合金膜室温暗电导率从10~(-10)Q~(-1)cm~(-1)单调上升到10~(-4)Q~(-1)·cm~(-1);电导激活能却从0.84eV单调下降到0.40eV. 用XPS 谱测量合金组分证明锗的溅射速率是硅的1.5倍.测量了光子能量为1.2eV时的吸收系数,结果表明,a-Si(1-x)Ge_x:H比a-Si:H有较多的悬挂键.这些悬挂键在较高氢分压下可部分被饱和. 相似文献
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目前,国际上通用两种方式制备α-siPIN太阳电池,即单反应室和分离反应室。前者由于设备简单,仍受到人们的相当重视。过去,我们在单反应室里制作的PIN太阳电池,其转换效率一直徘徊在4.2%。后来,我们对反应室的进气排气系统,基片安放及加热方式等做了改进,并采取措施减少系统的污染。在经过数百次单项试验和根据器件物理的要求对制备参量进行优选的基础上,使单反应室制作的非晶硅PIN电池的转换效率提高到7.9%。 相似文献
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每两年一次的国际非晶半导体会议是该领域具有较高学术水平的聚会.第十一届国际非晶和液态半导体会议于1985年9月2—6日在意大利罗马古城的罗马大学召开.参加会议的代表约400余人.这次会议共发表沦文348篇.其中在大会上的特邀报告七篇,分组邀请报告21篇,宣读论文108篇,文字报告 相似文献
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研究了以氧、氮或它们的混合气体作为掺杂材料所制备的a-Si 薄膜,并分析了掺杂后对其光电特性的影响.在我们的实验室中,不掺杂的样品是高阻和低光电导的,然而在GD制备过程中引入适量的氧或氮,可使其暗电导和光电导发生很大变化,在合适的条件下,其典型值可分别增加七个和四个数量级.文中给出了暗电导、光电导与掺杂量的关系;不同掺杂材料的电导激活能;红外吸收谱和隙态密度分布曲线等.文章最后对结果作了推测性的讨论.并认为,在GD法制备非晶硅薄膜过程中,微量的氧和氮是导致材料光电特性分散的一个重要因素. 相似文献
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自1970年以来,非晶硅基合金作为一种新型的电子材料,由于它的优异的光电特性,使它在太阳能电池及其他方面具有广泛的应用前景,从而推动着人们对这类材料特性进行深入研究。近几年国际上有关这方面的研究工作发展迅速,已形成一个新技术产业部门.非晶硅太阳能电池的转换效率和电池面积也都有明显的提高和增大.本文综述了非晶硅材料特性,电池工作原理及最近发展. 相似文献
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