用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计

论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量.     

PbCl_2-SnCl_2和PbCl_2-CdCl_2熔体中的活度

本文提出一种Gibbs-Dubem关系的变通形式。应用該式可以从已知的二元系中二个组元的活度系数之此,分别求出二个組元的活度。将該式应用于PbCl_2-SnCl_2及PbCl_2-CdCl_2系,証明这二熔盐体系对Raoult定律仅呈較小的正偏差。此外,对反应Sn+PbCl_2→Pb+SnCl_2和Cd+PbCl_2→Pb+CdCl_2的标准自由能变化(△F°)作了修正。     

界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响

本文利用高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的直流输出分析模型,首次定量地分析了界面态对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ直流输出特性的影响．考虑界面态的作用,详细分析了不同界面态密度对ＨＥＭＴ的ＩＶ特性和器件跨导的影响．我们的研究结果表明随着界面态密度的增加,栅极电压对电流的控制能力减小,从而使器件的跨导减小．     

N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二

本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。     

电磁MEMS及其在生物医学工程中的应用

阐述了电磁 M EM S 技术在生物医学工程中的应用,包括微流体及微阵列芯片上基于磁珠的生物检测、核磁共振 (N M R )及其他生物医学器械微型化改进等。介绍了电磁 M EM S 技术中的典型制作技术,展望了电磁 M EM S 技术的应用前景。     

HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究

本文通过变温的Ｈａｌ测量系统地研究了ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ以及ＩｎＰ基ＨＥＭＴ三种结构材料的电子迁移率μｎ和二维电子浓度ｎｓ．仔细地分析了不同ＨＥＭＴ结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同ＨＥＭＴ材料结构对电子浓度的影响．研究结果表明ＩｎＰ基ＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值比ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值都大,说明可以用ｎｓ×μｎ值来判断ＨＥＭＴ结构材料的性能好坏．     

导弹用多孔塑料天线罩的研制及其性能

随着导弹技术的发展,对用于透过超高频电磁波的雷达天线罩,提出了轻质、高强、高电磁波穿透能力、低介电损耗和耐高温等性能的要求,以保证高速飞行时必要的空气动力性质和电性能的需要。目前,在导弹雷达天线罩的制造中,一般采用陶瓷和微晶玻璃或及其泡沫材料。但这种无机材料的介电常数较大不能满足设计要求,而且部件都比较笨重,加工不便,尤其对变壁厚要求的罩子更是如此。为解决上述需要,我们根据有关单位提出的指标,研制了一种轻质高强、耐高温、介电性     

高灵敏纳米金比色芯片检测乙型肝炎病毒DNA及其变异

构建了新型纳米金比色芯片,利用Taq DNA连接酶的连接特异性,将其与乙型肝炎病毒DNA( HBV-DNA)靶序列完全互补杂交的捕获探针(固定在芯片上)和纳米金修饰的探针连接成一条链,从而将纳米金颗粒固定到芯片点阵上,再通过银染反应放大,形成裸眼可见的显色信息.通过点阵的位置及灰度,即可判断HBV-DNA靶序列的单碱基突变,并得出相对定量信息.本实验对不同浓度的HBV-DNA靶序列进行了检测.结果显示:此技术对单碱基突变有很强的特异性识别能力,并且具有较高的灵敏度(约10 pmol/L),在10～100 pmol/L浓度范围内表现出较好的线性关系.该技术检测时间短(＜1 h)、操作简单、不需要特殊的检测设备,具有很好的临床应用前景.     

漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通

测量和分析了1μm LDD MOSFET的穿通特性,与常规结构的MOSFET加以比较.结果表明,LDD结构能够有效地抑制DIBL效应、大幅度地提高短沟道MOSFET的源漏穿通电压.此外,还给出LDD MOSFET源漏穿通机制的定性解释.     

深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响

用深能级瞬态光谱和光致发光(PL)方法研究了AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)发射区AlGaInP中的深能级.得到了两个深能级,分别为E_c-E_t1＝0.42eV和E_c-E_t2＝0.59eV,其复合截面为σ_n1＝6.27×10^-17cm²和σ_n2＝6.49×10^-20cm². 关键词：