Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性

报道了栅长为1.5μm Au-AlGaN/GaN HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果.同时,研究了器件经300℃、30min热处理对器件性能的影响,并对比了热处理前后器件的室温特性.实验证明:室温下,器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安特性,反向漏电流较小,最大跨导可达47mS/mm;经过300℃、30min热处理后器件的室温输出特性有显著改善,而且器件饱和压降明显降低,说明300℃热处理没有给器件造成不可恢复的破坏.     

Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性

研究了溅射Ti/Al/Ti/Au四层复合金属与AlGaN/GaN的欧姆接触特性,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究.试验证实:溅射的Ti/Al/Ti/Au与载流子浓度为2.24×1018cm-3的AlGaN之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触.随快速退火温度的升高接触电阻降低.快速退火时间30s已可实现该温度下最佳欧姆接触.当工作温度不高于300℃时接触电阻几乎不受温度的影响.     

基于金刚石的先进热管理技术研究进展

以GaN为代表的新一代半导体材料具有宽禁带、高电子饱和速率、高击穿场强等优异的电学性能,使得射频、电力电子器件有了具备更高功率能力的可能,目前限制器件功率提升的主要瓶颈是缺少与之匹配的散热手段。具有极高热导率的金刚石已成为提升器件散热能力的重要材料,学术界针对金刚石与功率器件集成的先进热管理技术已经开展了大量有益的研究与探索,但是由于金刚石具有极强的化学惰性和超高的硬度,在实际集成和工艺加工过程中,金刚石-GaN界面容易出现热性能和可靠性问题,甚至会导致器件失效。对金刚石热管理技术的研究进展和存在的问题进行了深入分析,并对未来主要工作方向做了展望。     

Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性

报道了栅长为1.5μm Au-AlGaN/GaN HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果.同时,研究了器件经300℃、30min热处理对器件性能的影响,并对比了热处理前后器件的室温特性.实验证明:室温下,器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安特性,反向漏电流较小,最大跨导可达47mS/mm;经过300℃、30min热处理后器件的室温输出特性有显著改善,而且器件饱和压降明显降低,说明300℃热处理没有给器件造成不可恢复的破坏.     

硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究

本文论述了硅基MEMS标准工艺,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺.深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术.体硅工艺主要进行了以下研究:硅/硅键合、硅/镍/硅键合、硅/玻璃键合工艺及其优化;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究.表面牺牲层工艺主要进行了下列研究:多晶硅薄膜应力控制工艺;防粘附技术的研究与开发.     

川桂皮中具有免疫调节活性的甾体和苯丙素类化学成分

对川桂Cinnamomum wilsonii皮的化学成分进行了研究,从中分离并鉴定出1个新的甾体类化合物,(3S,22R,24R)-stigmast-5-ene-3β,22α-diol(1),和10个已知化合物,stigmast-5-ene-3β,7α,22α-triol(2),24-ethylcholest-5-ene-3β,4β,22α-triol(3),stigmast-5-ene-3β,7α-diol(4),β-谷甾醇(5),β-胡萝卜苷(6),(1R,2R)-1-(4-hydroxy-3-methoxyphenyl)-1,2,3-propanetriol(7),(1S,2S)-1-(4-hydroxy-3-methoxyphenyl)-1,2,3-propanetriol(8),丁子香酚(9),甲氧基丁子香酚(10)和methyl(E)-ferulate(11).通过波谱分析和Cu靶单晶X射线衍射方法确定了新化合物1的结构及其绝对构型.测试了化合物1～11的体外免疫调节活性,1,5和6能显著抑制刀豆A诱导的小鼠T细胞增殖,6和9能显著抑制脂多糖诱导的小鼠B细胞增殖.     

集合论公理系统的层谱

在文献[1,2]中,我们研究了范畴论基础,建立了集合的公理系统ACG,它能够处理超出了集合与类的极其大的汇合。本文进一步推广了系统ACG,建立了集合论公理系统的三个无穷序列:H_0,H_1,…;J_0,J_1,…,G_0,G_1,…。在建立这些公理系统的过程中,我们使用了类型论的方法,它们描述的能力是逐步增长的,     

Design,fabrication, and characterization of Ti/Au transition-edge sensor with different dimensions of suspended beams

For photon detection, superconducting transition-edge sensor (TES) micro-calorimeters are excellent energy-resolving devices. In this study, we report our recent work in developing Ti-/Au-based TES. The Ti/Au TES devices were designed and implemented with a thickness ratio of 1:1 and different suspended structures using micromachining technology. The characteristics were evaluated and analyzed, including surface morphology, 3D deformation of suspended Ti/Au TES device structure, I-V characteristics, and low-temperature superconductivity. The results showed that the surface of Ti/Au has good homogeneity and the surface roughness of Ti/Au is significantly increased compared with the substrate. The structure of Ti/Au bilayer film significantly affects the deformation of suspended devices, but the deformation does not affect the I-V characteristics of the devices. For devices with the Ti/Au bilayer (150μm×150μm) and beams (100μm×25μm), the transition temperature (T_c) is 253 mK with a width of 6 mK, and the value of the temperature sensitivity α is 95.1.     

SQL Server数据库存储结构分析

针对结构化查询语言(SQL)Server 2000数据库的主数据文件的存储结构进行了解剖。通过对大量的数据库主数据文件的解读统计分析,阐述了数据库主数据文件的存储结构,推导出主数据文件中数据页、页面标题、记录标题、记录偏移量数组的逻辑结构,推导出记录存放顺序和数据类型代码。通过编程做了一些实例,得出解读数据库主数据文件的基本方法,为手工恢复数据库提供了技术途径。     

聚合、序量与基量

<正> 在集合论的研究中人们早已发现许多非集合的真类(proper class),所有集合所组成的类V,所有序数所组成的类On,所有基数所组成的类Ca,Russell类T(它是由所有满足性质x x的集合x所组成的类)等等都是真类.类之间有并、交、补、笛卡尔积等运算,类对于这些运算都是封闭的.但是,真类不能作为其它类的元素,不可能有一个类它的元素是V或On.在Godel的专著[1]中规定,当X或Y为真类时,{X,Y}为空集合Φ.