一种高性能16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计与分析

本文描述一种性能较好的16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计.该电路采用3μmNMOS双层多晶硅工艺进行制作.对它的结构、存贮单元、灵敏读出放大器以及译码电路等进行了分析和优化.用CAD电路模拟的结果与实测十分接近,取数时间为120ns,工作功耗为150mW.     

一种用于HMOS-SRAM的触发器高灵敏读出放大器

本文提出了一种新型HMOS-SRAM读出放大器(S/A).它是由一对源跟随器交叉反馈所组成.通过精确控制上下管的尺寸比,使它处于临界触发状态.理论和实验证明,这种电路具有高灵敏度,宽共模范围以及低输出共模电平等优点.试用于SRAM,得到很好的结果.     

VLSI成品率统计中的缺陷成团效应及统计参数与面积的关系

本文以负二项分布为基础,在对两个实测统计结果进行分析的基础上,给出了VLSI成品率与缺陷分布统计中有关成团因子与芯片面积关系的模型.在模型的推导中考虑了由于缺陷的成团聚集效应引起的区域之间缺陷分布的相关性这一内在因素.模型与本文给出的两个实测统计结果的一致性很好.     

一种NMOS四值静态存贮单元的设计

<正> 一、引言 多值存贮器,尤其是用多值单元电路构成的多值存贮器是该领域需要研究的课题之一,其应用前景甚至超过了单纯多值电路的范围。关于多值ROM单元及由动态结构组成的多值存贮器已有一些报导,本文提出一种NMOS四值静态存贮单元电路。     

一种基于次开启特性的CMOS四象限模拟乘法器

<正> 一、引言 四象限模拟乘法器是非线性系统中的一个重要单元,可用于信号的调制、检测、控制、平方及求平方根,在模拟信号处理中具有广泛的用途。目前,双极型四象限模拟乘法器仍占据主导地位。本文提出一种新的CMOS四象限模拟乘法器,它直接利用MOS晶体管工作在次开启区电流与栅电压所呈的指数关系来实现类似双极型电路中的指数关系,构成Gilbert单元四象限模拟乘法器,其精度和线性可以达到甚至超过双极型乘法器。