N型砷化镓的电化学电容特性

测量了 n 型砷化镓耗尽层电容与其在电化学池中阳极电势的函数关系。己经表明,倘若维持表面积一定的话,这种测量可以导出载流子浓度的精确值而与电化学溶解剥蚀无关。描述了为了保持电解液和半导体接触面积恒定所需的实验条件。也指出了扩展到这一特定区域外侧会引起电容量的明显增大(通过实际面积的增加)。在这种条件下,不能再用于得到载流子浓度但是可以弄清关于材料内部结构的许多问题。     

半绝缘砷化镓的PL谱及其质量表征

对多批不同束源的LEC SI-GaAs进行了15K及变温、变激发光强的光致发光PL测量,并对不同PL峰值能量下PL强度随样品位置的变化进行了一维线性扫描和二维空间扫描。对三个能谱区的分析和讨论表明,PL测量可作为高性能微波GaAs FET及GaAs IC用衬底的无损评价方法。     

氮化镓研制中的退火技术

总结了 Ga N薄膜生长和器件制备中退火技术的应用情况 ,其中涉及退火工艺过程、作用机理以及由此产生的影响。     

半导体量子线场效应管研究现状及趋势

综述了 - 族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况 ,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难 ,并展望了进一步的发展趋势。     

MBE自组织方法生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料

利用分子束外延 (MBE)技术在高指数面 Ga As衬底上自组织生长了应变 In Ga As/Ga As量子线材料。原子力显微镜 (AFM)观测结果表明量子线的密度高达 4× 1 0 5/cm。低温偏振光致发光谱 (PPL)研究发现其发光峰半高宽 (FWHM)最小为 9.2 me V,最大偏振度可达 0 .2 2。以 Al Ga As为垫垒 ,In Ga As/Ga As量子线为沟道 ,成功制备了量子线场效应管 (QWR-FET)结构材料 ,并试制了器件 ,获得了较好的器件结果     

高面指数GaAs衬底上自组织生长应变I n0.15Ga0.85As/GaAs量子线阵列

利用分子束外延(MBE)技术在高面指数(553)B GaA s衬底上自组织生长了应变Ga0.85In0.15As/GaAs量子线阵列结构.通过原子力显微镜(AFM)对Ga0.85In0.15A s外延层的表面形貌进行了观测.测试结果表明量子线的密度高达4×105/cm.研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱(PPL),发现其发光峰半高宽(FWHM)最小为9.2 MeV,最大偏振度p[ (I -I )/(I +I)]可达0.22,这些测试结果表明制备出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构.     

高纯外延N型砷化镓中的X_(1C)导带最小点

对高纯外延 N 型 GaAs 的高压霍尔测量作到了60千巴,结果表明,在50千巴和室温下,X_(1C)迁移率为350±40厘米~2伏~(-1)·秒~(-1)。X_(1C)-Γ_(1C)子带能隙确定为0.38±0.01电子伏,X_(1C)态密度有效质量是0.85±0.10m_e。结果还指出,可能有三个而不是六个 X_(1C)最小点,它们位在区域边缘。     

砷化镓外延层的霍耳效应、肖特基势垒电容和光致发光光谱的测量及其相互关系

从对同一样品测量结果之间的关系的讨论得知,用汽相淀积系统生长的砷化镓外延层中,电子迁移率降低的主要原因是由补偿受主和空间电荷区引起的,这两者都与铜的沾污有关。深陷阱对电子迁移率不起重要作用,因为它们的散射截面小至1.04×10~(-22)厘米~2。     

半导体材料中任意深度的杂质分布

由英邮电部研究分部(PORD)研制的电化学技术可连续自动地描绘出半导体材料中载流子浓度的分布,而深度不受限制。为了进行这些测量由 PORD 设计的设备(控制单元,电化学池和光源)观已有产品并出售。