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放音系统中前级放大器的重要作用是众所周知的。一般合并式功率放大器输入端的电压放大级,又称前置放大级,此级的位置虽然很重要,但在合并式放大器中,设计者往往注意力多集中到功率放大级上,而前置电压放大级就显得不重要了,所以对前置放大级的投入也较少。并且,因功放级的影响,B 电压也不够稳定(有 相似文献
3.
HgCdTe红外探测器件是目前研究和使用的主要探测器件之一,pn结构是它的基本功能单元和提高性能的关键之一,由其列阵构成的焦平面是HgCdTe红外探测器件发展的重要方向。因此迫切需要一种方便可行的无损检测方法可以实现对焦平面列阵的在线信息反馈以及针对pn功能结构进行深入研究。激光束诱导电流(LBIC)即是一种以激光为 相似文献
5.
真空微电子荧光平板显示器件的实验研究刘杰明,李志能,陈秀峰(浙江大学信息与电子工程学系)关键词:真空微电子,反应离子刻蚀一、引言近十年来,随着真空微电子学的崛起,利用微细加工技术,使真空元器件集成化和高性能化已成为可能,一种新型场致发射阵列真空荧光平... 相似文献
6.
我国高层建筑日益增多,在建或拟建的第二长途通信枢纽楼,其高度也已达200m左右。结合高层通信枢纽楼的特点,对高层建筑结构设计中的主要技术问题进行介绍。 相似文献
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研究了影响LEC生长GaAs单晶锭长的因素。发现,LEC系统中热场分布,热对流,坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对LEC法生长的GaAs单晶锭子长度都有影响。 相似文献
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NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
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