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1993年
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1991年
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1
1.
退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响
曹望和
张联苏
《半导体学报》
1991,12(2):80-86
本文报道了CaAs∶Er、InP∶Yb发光样品的二次离子质谱、X-射线双晶衍射测量结果及其与Er离子的表面成份的关系.分析讨论了退火损伤对GaAs∶Er和InP∶Yb发光的影响以及Er~(3+)复合体发光中心模型.
相似文献
2.
Yb、Er双注入SI—InP发光中的浓度猝灭效应和光子雪崩现象研究
曹望和
张联苏
《半导体学报》
1993,14(5):318-321
本文首次报道了Yb、Er双注入SI-Inp中Yb~(3+)1.04μm和Er~(3+)1.54μm发光行为,观察到了浓度相互猝灭效应和光子雪崩现象。
相似文献
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