一种低温度漂移曲率补偿带隙基准源设计

针对传统带隙基准源无法补偿高阶温度项导致温度系数较差的问题,提出了一种高阶曲率补偿电路。电路利用VBE线性补偿原理,使用特定的电路结构产生与双极型晶体管基极-发射极电压开口曲率相反方向的补偿电压,达到降低基准电压高阶温度项的目的。电路基于SMIC 0.18μm工艺进行流片验证,测试结果表明,温度由-40℃变化到125℃时,使用曲率补偿后带隙基准电压的温度系数由14.3×10^-6/℃降低到了3.18×10^-6/℃。     

一种可配置高精度数控振荡器设计

针对数字振荡器单元,基于直接数字频率合成器实现方法设计了一种可变频高精度数控振荡器。从速度、面积和功耗等方面折中考虑,给出了设计过程并对仿真结果进行分析验证。结果表明,所设计的数控振荡器可实现较宽范围的频率带宽,步长控制在0.01 Hz 数量级,输出信噪比可达70 dB 以上,采用SMIC 0.13μm CMOS 工艺流片,系统工作速度可达80 MHz,面积为0.183 mm2 ,为波形发生器提供另外一种可行方案。     

多通道 １４ 位 １２５ＭＳＰＳ 流水线型 ＡＤＣ 设计

针对通信系统对多通道、高速、高精度数据转换器国产化的迫切需求,论文设计了一款基于流水线架构的八通道14位125MSPS模数转换器,采用多位量化增益数模单元实现了流水线的第一级子级和最后一级采用4位flash ADC,多位量化较好地抑制了后级电路的噪声和失真衰减。采样保持电路采用采样电容翻转式结构实现。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计,测试结果表明,在输入信号频率为70MHz,采样速率为125MHz时,无杂散动态范围为87dB,信噪比为72.5dB,有效位数约为11.75比特。     

一种10位160 MS/s采样保持电路的设计

设计了一种用于流水线型A/D转换器的10位160 MS/s CMOS采样保持器.电路采用电容翻转式结构,以及运用增益提高技术(gain-boosting)的折叠式共源共栅放大器,以满足高速、高精度的要求;优化采样电容和运算放大器指标,以保证噪声容限和线性指标;优化辅助运放,从而保证运放的稳定性.HSPICE仿真结果表明,在78.83 MHz输入信号、160.34 MHz工作频率下,输出信号的无杂散动态范围为77.3 dB.     

功率MOS管的设计与保护

对功率MOS管和功率双极管的优缺点进行比较,介绍功率MOS管的安全工作区（SOA）,重点分析了影响功率MOS管安全工作的原因以及为避免这些不利因素而采用的保护技术,对斜率控制、过温、过压、过流等保护措施进行了详细的说明。