应用于硅基等离子天线的横向PIN二极管的研究

介绍了横向PIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,用一维理论分析了载流子大注入情况下横向PIN二极管本征区载流子浓度分布.对横向PIN二极管进行了物理建模,仿真分析了本征区长度、二氧化硅埋层、电极长度、结区掺杂浓度及表面电荷对横向PIN二极管本征区载流子浓度的影响,总结了横向PIN二极管的一般设计规则.     

基于SVR的粮仓储粮重量在线检测模型

粮仓储粮重量自动检测是国家粮食安全的重要保障技术.本文针对粮堆散粒体特性,建立了粮仓储粮重量与粮仓底面和侧面压强的数学关系,证明了基于压力传感器进行粮仓数量在线检测的可行性.提出了基于内外圈两圈布置的压力传感器布置模型和基于多项式展开的粮仓储粮重量检测模型,利用内外圈传感器输出值均值的多项式展开构建粮仓储粮重量估计.针对实仓检测中内外圈传感器输出值均值存在较大波动的问题,提出了基于SVR的粮仓储粮重量检测模型,给出了SVR输入项序列的具体提取方法,设计了具体的建模算法.实验表明,实验粮仓检测模型建模与预测结果的误差小于±3%,证明了所提出的粮仓储粮重量检测模型与方法的有效性,可以满足国家粮仓储粮重量检测的要求.     

基于区域限制的EM和图割的非监督彩色图像分割方法

提出一种基于区域限制的EM(Expectation Maximization)和图割的非监督彩色图像分割方法,以解决自动确定分割类数问题.首先,生成图像的超像素,提取图像的CIE Lab颜色特征和多尺度四元数Gabor滤波特征;为了高效自动地确定分割类数,同时避免因直接使用超像素造成的奇异值问题,对每一个超像素采样并使用采样像素表示超像素;然后采用高斯混合模型对采样像素集合进行建模,使用加入区域限制的分量EM自动获取模型组件数及参数,最后使用图割结合高斯混合模型对图像进行优化,获取最终分割结果.实验结果表明,该方法在分割效率和分割质量上均得到较大提升.     

燃烧理论中的非线性微分方程边值问题

这里常数 M>0.这类边值问题来源于燃烧理论,最早是 Linan 在1974年在文[2]中提出并加以研究,其后国外有许多作者加以研究.我们研究比上述问题更一般的边值问题     

非晶硅太阳能电池的新进展

对非晶硅材料的物理性能及工艺优势进行了阐述，其中介绍了一种新型的刻划成图工艺，即等离子CVM，简单回顾了非晶硅太阳池的历史发展，分析了非晶硅太阳电池当前所存在的问题，提出了其发展的方向，其中，主要论述了叠层非晶硅太阳电池，并介绍了几种新型的非晶硅电池，最后，概括了非晶硅太阳电池的应用现状及前景。     

P型微晶硅薄膜材料性能的研究

本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化.采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低.当硅烷浓度为2.0;时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构.当硅烷浓度为1.5;时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象.     

非晶硅太阳能电池的新进展

对非晶硅材料的物理性能及工艺优势进行了阐述,其中介绍了一种新型的刻划成图工艺,即等离子CVM,简单回顾了非晶硅太阳电池的历史发展,分析了非晶硅太阳电池当前所存在的问题,提出了其发展的方向,其中,主要论述了叠层非晶硅太阳电池,并介绍了几种新型的非晶硅电池.最后,概括了非晶硅太阳电池的应用现状及前景。     

多分类光滑支持向量机及Gabor滤波应用研究

在传统SVM的分类求解算法中,严格凸的无约束最优化问题中单变量函数x 是不可微的。将原来不可微的模型变为可微的模型,可以使用通常的最优化的算法进行求解。Gabor滤波器采用不同方向、不同尺度,对烘焙面包切片区域灰度图像直接进行小波变换,用能量均值"和均方差#来表示灰度图像的纹理特征。针对样本数少的特点,提出使用多分类光滑支持向量机的方法实现对烘焙面包品质的快速分类。实验结果表明了该方法的实用性和可行性。     

基于GaSb/CdS薄膜热光伏电池的器件设计

基于GaSb薄膜热光伏器件是降低热光伏系统成本的有效途径之一, 本文主要针对GaSb/CdS薄膜热光伏器件结构进行理论分析. 采用AFORS-HET软件进行模拟仿真, 分析GaSb和CdS两种材料各自的缺陷态密度、界面态对电池性能的影响. 根据软件模拟可以得知, 吸收层GaSb的缺陷态密度以及GaSb与CdS之间的界面态密度是影响电池性能的重要因素. 当GaSb缺陷态增加时, 主要影响电池的填充因子, 电池效率明显下降. 而作为窗口层的CdS缺陷态密度对电池性能影响不明显, 当CdS缺陷态密度上升4个数量级时, 电池效率仅下降0.11%.     

柔性衬底硅薄膜太阳电池中ZGO薄膜的应用

在室温下,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺,在玻璃衬底上制备出高质量的Ga掺杂ZnO(ZnO:Ga)透明导电膜。研究了薄膜厚度对薄膜的结构、光学及电学特性的影响。制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。优化反应条件,薄膜的电阻率达到4.69×10-4Ω.cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。将不同厚度的ZnO:Ga薄膜(350～820 nm)在柔性聚酰亚胺衬底nip非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池中,随厚度的增加,电池的填充因子和效率都得到了提高,得到聚酰亚胺衬底效率7.09%的a-Si薄膜太阳电池。