一种理想的反跟踪技术——指令队列预取法

在制造加密系统时,加密技术的好坏固然重要,但反跟踪技术的“奇”与“妙”显得更为关键,只有在你绝妙的反跟踪技术的保护之下,你的加密技术才不至于被人家识破,加密才显得有效。在此,笔者介绍一种比较理想的反跟踪技术——指令队列预取法。 在计算机CPU中,为了提高运行速度,专门辟有一个指令流队列,以存放后续指令。CPU把取指令部分与执行指令部分分开,因而当某一条指令正在执行时,同时可以取出其后续的一条或多条指令放于指令流队列中排队。这样,在完成一条指令时就可以马上执行下一条指令,减少了CPU取指所化的等待时间。指令队列空间的大小随CPU的不同而各异,8086为45字节,80286为6个字节,80386则为16个字节。     

r探测器的中子灵敏度标定技术

CeF3，YaP：Ce等无机晶体分别配光电倍增管构成的探测器，对r线有较高的探测效率，被称为r测器。由于其中子灵敏度比相同能量的r敏度要低数倍，有的甚至低一个量级，因此中子辐射源与周围环境物质作用产生的散射中子和r线将严重影响其输出电流，导致中子灵敏度的标定难以实现。     

von Neumann代数中套子代数上的Lie同构

本文给出因子von Neumann代数中的幂等算子在广义Lie积下的一个刻画; 得到因子von Neumann代数中套子代数的幂等算子在Lie积下的一个特征．作为应用, 研究了因子von Neumann代数中套子代数上的Lie同构,并证明因子von Neumann 代数中套子代数之间的Lie同构,要么是同构与广义迹之和,要么是负反同构与广义迹之和．     

一种由[Ag(CN)2]-和Mn(Ⅱ)建筑块组装的三个三维网穿插的超分子配合物的结构和荧光性质

0 Introduction Recently, a considerable effort on crystal engi- neering has been devoted to the research of supramolecular assemblies because they show abun- dant topologic structures and offer possibilities for po- tential applications of functional mate…     

己烯在Ru(1010)表面价带电子特性研究

在200 K以下己烯（C6H12）可以在Ru()表面上以分子状态稳定吸附.偏振角分辨紫外光电子谱（ARUPS）结果表明,己烯分子在垂直于衬底表面并沿衬底表面<>晶向的平面内,己烯分子的轴向沿<>晶向倾斜.随着衬底温度的提高,到200 K以上,己烯分解生成新的碳氢化合物.己烯分解后,πCH分子轨道能级向高结合能方向移动了0.2 eV,同时己烯中C的1s能级向低结合能方向移动了 0.3 eV.     

压力流驱动电色谱分析方法及其若干色谱行为

压力流驱动电色谱分析方法是一种新型色谱技术。它组合了ＨＰＬＣ和电泳两种技术，为分离提供了更多可控制的因素。介绍了压力流驱动电色谱的装置和毛细管电色谱柱的装置方法，从理论上讨论了影响电色谱分离的因素并用实验数据加以证明。最后尝试性地将电色谱法用于测定香蕉样品中萨索啉（Ｓａｌｓｏｌｉｎｏｌ）等的含量。     

四配位硅单体及其共聚物的制备和结构表征

研究了直接从无定形二氧化硅出发, 与乙二醇、氢氧化钾反应, 生成高反应活性的五配位硅钾化合物, 并以此为原料与含活泼氯的3-氯丙烯反应制备出含双键官能团的四配位硅单体. 讨论了合成单体的条件如温度、反应时间、反应物浓度、溶液pH值及溶剂等因素的影响. 然后以该四配位硅单体与甲基丙烯酸甲酯(MMA)在偶氮二异丁腈(AIBN)作引发剂下进行自由基聚合得到支链含硅共聚物. 并借助于红外光谱(IR)、核磁共振(¹³C和¹H, ²⁹Si)、能谱元素分析对合成的单体进行了结构表征; 用红外光谱(IR)、热失重谱(TG)、差示扫描量热谱(DSC)、凝胶渗透色谱法(GPC)等现代测试手段对支链含硅共聚物进行了结构表征及热性能分析. IR表明四配位硅单体在1646 cm^－1处是C＝C的伸缩振动吸收峰, 在共聚物中此峰消失; TG表明共聚物在249.6 ℃才开始失重, 552 ℃有机部分失重完毕; GPC分析表明共聚物的数均分子量为8.7万.     

基于柔性PI基底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究

讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过SEM断面观察,干刻后双层结构taper角度适合TFT器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的TFT器件迁移率达到14.8cm2/(V·s),阈值电压Vth约0.5V,亚域值摆幅SS约0.5V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED或电子纸的驱动要求。     

乙烯基四配位硅与HEMA共聚物的制备及性能

Laine研究小组直接用二氧化硅和乙二醇在无机碱的作用下,合成了五配位硅化合物：Laine研究的意义在于他开创了低温合成配位有机硅化合物的先河,这种方法有四个优点,（1）能耗小;（2）原料来源丰富,价格低廉,二氧化硅占地壳的1／4,乙二醇也很便宜;（3）污染小;（4）制得的五配位硅化合物反应活性非常高。但Laine在聚合物方面做的工作较少,过去只是把这个方法应用于高性能陶瓷玻璃的制备以及离子导电聚合物的研究中J,主要是解决不了五配位硅钾化合物的水解可逆性问题。     

基于改进SIR模型的知识密集型企业隐性知识转移研究

通过对比分析传染病传染机制与隐性知识的转移过程,引入SIR模型,根据隐性知识转移的特点对SIR模型进行改进,并在组织遗忘视角下,将员工知识遗忘细分为主动遗忘和被动遗忘,建立知识密集型企业隐性知识转移模型.而后,通过Matlab对该模型的演化函数进行模拟,分析知识接收方占比、知识转移能力、知识遗忘率及核心员工流失率对知识...