高PS材料制备及工艺研究

本文对高膜厚PS材料进行了研究,通过工艺优化,成功在G5线实现了60～120μm的高PS。通过前烘工艺和固化工艺优化调整,得到了无气泡、膜面良好的高PS材料。本文还对曝光量对PS影响进行了研究,发现曝光量低于50mJ时,PS材料无法有效成型;当曝光量达到150mJ时,得到形貌良好,达到设计值的PS。最后还对不同基底高PS材料进行了研究,发现未进行增粘处理时,SiN基底粘附性良好,Mo基底还需继续优化处理。     

铀(Ⅵ)的二溴水杨醛缩二胺类双希夫碱及溶剂三元配合物的合成和表征

Nine new complexes [UO₂(Dbsal-o-Phdn)L][UO₂(Dbsalen)L] and [UO₂(Dbsalpn)L] [Dbsal-o-PhdnH 2=N,N′-o-phenylenebis-(3,5-dibromosalicylideneimine), DbsalenH₂=N,N′-ethylenebis (3,5-dibromosalicylideneimine), DbsalpnH₂=N,N′-1,2-propanylenebis (3,5-dibromosalicylideneimine), L=MeOH, EtOH, py] have been synthesized and characterized by elemental analysis, IR, UV, TG-DTA and molar conductance analysis. These complexes are proposed to have seven coordinate environment.     

TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究

本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N~+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N~+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。     

钍(Ⅳ)与水杨醛二胺类双希夫碱配合物的合成与表征

钍（Ⅳ）与水杨醛二胺类双希夫碱配合物的合成与表征毕彩丰，范玉华，张家祥（山东建材学院应用化学系，济南２５００２２）关键词硝酸钍，双希夫碱，配合物过渡及希土金属离子的希夫碱类配合物已有不少报道，但钢系离子社（［Ｖ）的双希大碱类配合物研究未见报道．本文首...     

彗木相撞预报 *

以太阳系天体动力学数值模型为基础,探研方法理论,编制软件,向国内外发出了多次Shoemaker-Levy 9号彗星与木星相撞预报,预报结果和实际基本吻合.阐述预报的方法理论,并将预报的碰撞时间和国际确认的实际碰撞时间予以比较分析.     

铀(Ⅵ)的二溴水杨醛缩二胺类双希夫碱及溶剂三元配合物的合成和表征

铀（Ⅵ）的二溴水杨醛缩二胺类双希夫碱及溶剂三元配合物的合成和表征郑庚修＊毕彩丰张家祥王秋芬张广友（山东建材学院应用化学系，济南２５００２２）关键词：硝酸铀双希夫碱三元配合物关于铀与希夫碱的配合物的结构、萃取等研究已有报道。结构研究发现：铀（Ⅵ）盐可以...     

对乙酰氨基酚在石墨烯/壳聚糖复合膜修饰电极上的电化学行为研究

制备了石墨烯-壳聚糖复合物修饰玻碳电极(GO/CS-GCE),考察了对乙酰氨基酚(APAP)在修饰电极上的电化学行为,发现石墨烯-壳聚糖复合物能较好改善玻碳电极对APAP的电化学性能,APAP在修饰电极上的电化学反应过程是受吸附控制的2电子,2质子反应过程;进一步研究发现在pH=9.16的碳酸钠-碳酸氢钠缓冲体系中,对...     

抗磁稳定悬浮结构的阻尼特性研究

研究了一种抗磁稳定悬浮结构的涡流阻尼力的阻尼特性。建立了求解涡流阻尼及阻尼系数的数学模型,借助MATLAB和COMSOL 5.6通过三维电磁场有限元仿真分析方法研究了涡流阻尼的特性以及外部激励频率、振幅、悬浮磁体厚度、导体板厚度等对涡流阻尼的影响,给出了其变化规律。结果表明：增大磁体半径与厚度、增大抗磁体边长和厚度以及减小悬浮间隙都可增大涡流阻尼。除此之外,增大外部激励的振幅与频率也可以增大涡流阻尼,但增大激励频率时涡流阻尼会出现相位滞后现象。该结果对于分析研究抗磁悬浮结构的振动特性具有一定的参考意义。     

单分子聚苯胺膜电极上抗坏血酸的线性扫描催化氧化波研究

在苯胺浓度为1.0mol.dm^-^3的盐酸溶液中用电化学聚合法制得单分子聚苯胺膜电极。在该修饰电极上, 抗坏血酸在0.01mol.dm^-^3盐酸底液中有一线性扫描催化氧化波, 其峰电位为+0.270V(vs.SCE), 峰电流与抗坏血酸浓度在10^-^2～10^-^5mol.dm^-^3范围内呈线性关系。文中详细地探讨了该波的性质, 证实它是一个不可逆波, 并且测定了αAn, ks, DR值。     

TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究

对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。