全文获取类型
收费全文 | 53篇 |
免费 | 27篇 |
国内免费 | 14篇 |
专业分类
化学 | 6篇 |
晶体学 | 7篇 |
数学 | 2篇 |
物理学 | 42篇 |
无线电 | 37篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 5篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 1篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 8篇 |
2007年 | 1篇 |
2005年 | 6篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 6篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
1983年 | 3篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有94条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
针对在跳频信号跳变时刻和跳变频率估计方面实时性和估计精度无法同时兼顾的问题,提出了一种基于短时傅立叶变换(STFT)和多重信号分类(MUSIC)算法的跳频信号参数估计方法。在建立跳频信号数学模型的基础上,利用STFT选取较大时间窗对整个信号在时域进行粗搜索,生成时频谱图,提取时频脊线从而获得跳变时刻,然后选取较小时间窗在已知跳变时间段利用STFT进行跳变时刻的细估计,并利用MUSIC算法进行频率的精确估计。该方法利用STFT的二次估计,减少了MUSIC搜索范围,从而降低了时间开销。仿真表明该算法的跳变时刻频率估计精度高,实时性能满足参数测量需求。 相似文献
4.
5.
GalnAsSb是直接带隙、窄禁带的半导体材料,其波长范围为0. 87-12μm,粗盖了2-4 m, 3-5μm和8-12μm三个重要的红外应用波段,可制作室温下工作的红外光电器件,在光纤通信、环境监测、资源勘探、空间技术及军事等方面有广泛的应用前景. 相似文献
6.
8.
9.
10.
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,以NH3作为N元素的掺杂源,在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜、霍尔测量及先致荧光光谱等测试技术分析了薄膜的结晶性质、表面形貌、光电性质及掺杂元素N的价键特性.结果表明,NH3 的掺杂会影响ZnO薄膜的结晶特性,薄膜虽然仍是(002) 面择优取向生长,但同时也出现了ZnO的(100)及(101)面生长.在薄膜生长时N元素掺入到ZnO薄膜当中,并形成N-Zn、N-H、N-C键.C、H杂质的存在,使掺N ZnO薄膜表现为高阻,同时也影响了薄膜的光致发光特性. 相似文献