40Ar(25MeV/u)+159Tb、197Au、209Bi的三重关联裂片的测量

报道了中心碰撞中形成的激发能约为3MeV/u的热核衰变.对热核衰变发射的三重大质量碎片进行符合测量,给出了这种衰变方式的质量分布、相对角分布、相对速度分布.用Monte-Carlo分析三裂变和二体裂变的几何效率,给出了这种三重裂变事件相对于二体裂变的几率比.     

蓝宝石衬底材料的研究及应用进展

蓝宝石因为其生产技术成熟、稳定性好、性价比高而被广泛应用于光电领域,成为GaN基光电器件的主要衬底材料.传统的蓝宝石衬底生长GaN薄膜存在许多问题,如由晶格常数不同产生的晶格失配、热应力失配等,且GaN薄膜结晶质量较差、光线提取效率低.介绍了图形化蓝宝石衬底技术在制作GaN基LED器件中的应用,比较了几种图形化衬底对LED的发光性能的影响.在图形化蓝宝石衬底上采用PVD法生长AlN薄膜,可以降低GaN薄膜的螺旋位错和刃位错、提高MOCVD生长效率、显著提高设备利用率.另外,介绍了蓝宝石衬底在SOS领域的应用,列出了SOS工艺对蓝宝石衬底的具体要求.蓝宝石作为一种重要的衬底材料,未来的发展前景会更加广阔.     

35MeV/u36Ar+124Sn反应中类弹产物的同位素分布特性

测量了35MeV/u³⁶Ar+¹²⁴Sn反应中5.3°处类弹产物的同位素分布,观察到随着出射动能的增加,产物的平均中质比逐渐减小而接近弹核的平均中质比.同位旋相关的量子分子动力学计算表明,随着反应时间的增加,类弹产物的平均出射动能逐渐减小而平均N/Z值则逐渐增大.另外,碰撞参数也影响类弹产物的同位素组成:随着碰撞参数的减小,类弹产物的平均N/Z值减小.     

中能Abrasion-Ablation模型的核内核子密度分布修正

将具体的核内核子(包括中子、质子)密度分布引入到中能Abrasion-Ablation模型中,用修正后的模型计算了30MeV/u ⁴⁰Ar+^natAg反应中的弹核碎裂过程.结果表明,在非常周边的碰撞中,修正后的模型计算的碎片截面与修正前的计算相比有明显的差别,反映了核密度边缘弥散的影响.与实验结果的比较验证了中能弹核碎裂碎片能量相对于束流能量的降低是由摩擦作用引起的.     

碱性抛光液对铜布线电特性的影响

随着互连电路的规模发展到亚微米级,互连延迟已经成为超过门延迟的重要因素。减小延迟在互连结构中是不可避免的问题。化学机械抛光是最适合在多层铜互连结构中达到平整化目的的手段。出于对整体过程的考虑,我们将考察化学机械抛光对铜晶圆片电特性的影响。在这篇文章中,我们将考察两种抛光液在化学机械抛光中的影响,一种抛光液是酸性抛光液,来自于SVTC,另一种是碱性抛光液,由河北工业大学提供的。着重考察了三个方面的特性,电阻,电容和漏电流。电阻测试结果显示,河北工业大学提供的抛光液抛光后,电阻更小。而被两种抛光液抛光后的电容则相差不多,电容值分别为1.2 E^-10F 和1.0 E^-10F。同样,河北工业大学提供的抛光液抛光后的漏电流是1.0E^-11A,低于SVTC提供的酸性抛光液。结果显示,河北工业大学提供的碱性抛光液会产生小的碟形坑和氧化物损失,优于SVTC提供的酸性抛光液。     

核核碰撞中不稳定轻核的方位角各向异性发射

利用符合的粒子粒子关联测量，研究了２５ＭｅＶ／ｕ^４０Ａｒ＋^１９７Ａｕ反应中不稳定轻核的在平面发射和出平面发射．对于中速的不稳定轻核，观测到在平面发射几率增大，这表明该反应系统中存在旋转效应．该现象随碰撞参数增大更为强烈，而随着不稳定核激发态能量的升高稍有变弱     

22Na(p,γ)23Mg反应的实验研究

讨论了目前有关²²Na(p,γ)²³Mg反应的实验研究工作,结合兰州放射性束流线上的放射性束流²³Al的β⁺延发质子衰变实验的测量结果,给出了²³Al延发衰变的质子能谱,并比较了近期实验给出的相关能级的自旋、宇称值,正是由于这种自旋、宇称和能级部分宽度的不确定性,导致了反应率计算的不确定性.计算了同位旋相似态的共振强度.对于测量到的新的延发衰变能级E_d=8.916MeV,由于没有相应的能级宽度值,实验仅给出其相对共振强度值.     

激发能升高级联裂变到瞬发多重碎裂的演化

分析⁴⁰Ar+¹⁵⁹Tb、¹⁹⁷Au、²⁰⁹Bi(25MeV/u)中心碰撞产生的三体碎片产物的角关联,配合Ar+Au(60MeV/u)三体出射的数据,分析非完全熔合反应产生的高激发核衰变的演化过程,证明了在25MeV/u入射能时激发核产生的三重大质量碎片是级联的两次出射的裂变形成的,其时间差尺度大约为1000fm/c,而对60MeV/u入射能下的激发核观察到重碎片在120°附近出现强的角关联,这在理论上解释为发射时间差较短,即出现了瞬发的多重碎裂.     

单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光

通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H2O2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速率,其促进作用与氧化剂浓度和抛光液的pH值密切相关。选择含体积分数5%的H2O2、pH值为12的SiO2抛光液对SiC进行CMP,得到的Si面抛光速率可以达到285.7 nm/h。在含H2O2抛光液中引入适量的NaNO3和十二烷基硫酸钠,SiC表现出较高的腐蚀电位绝对值和去除速率。在H2O2和NaClO抛光液体系中,SiC的去除速率与其腐蚀电位的绝对值正相关,该结果对实际应用有一定的借鉴意义。     

20 Na的β+延发α粒子测量

利用兰州放射性次级束流线提供的^20Na束流,通过^20Na→^β^ ^20Ne*→^16O α过程,测量了^20Na的衰变半衰期T1／2及衰变α粒子能谱。结果表明,除了Ed≥2.688MeV的9条较高激发能级的衰变α粒子外,实验中还观察到衰变能量Ed为0.890和1.054MeV,1.991MeV,2.424和2.457MeV的^20Ne低激发能级的3条α谱线。