1x EV-DV的可用性及其改进方案研究

文章给出一种可行的利用码分多址实现cdma2000 1x和1x EV-Do同频点兼容的方法。使用该方法可10倍提高小区内的下行信道频谱利用率,使这种CDMA/TDMA系统的容量基本等于双频点cdma2000 1x和1x EV-Do系统的和。这种方法避免了1x EV- Do系统需设置专用频点的问题,大幅提升了900MHz优质稀缺车载移动通信频段的频谱利用率,改进了cdma2000 1x标准上下行容量基本对称的技术缺陷,更加符合移动因特网的需求。     

适合软件无线电片上系统的可重构处理器

在当今消费电子产品开发中日益凸显的一些问题，如市场要求和标准制定的不确定性、不可重复的工程开发成本、以及缺乏针对具体应用的IP资源等，都使得下一代嵌入式计算平台的完全可编程化成为必然趋势。然而，如果仅采用传统的可编程器件开发技术将很难达到低成本、高效率的要求。本文将介绍一种可集成于标准微处理器平台之上的可编程专用加速器解决方案。该解决方案不仅能够实现各种系统应用的开发，并且具有高度的实时性、灵活性、以及较低的成本。本文将介绍该可编程加速器的结构、编程方法及软件库的设计，并简要举例该方案在数字无线广播系统中的应用。     

脉冲放电等离子体烟气脱硫脱硝工业试验

脉冲放电等离子体烟气治理技术具有流程简单，一次投资成本低，无二次污染，可同时脱硫脱硝，形成的副产物可回收利用等特点。     

GM(1,1)的周期修正模型及其在泉水流量预测中的应用

本文阐述了 GM( 1 ,1 )的残差周期修正模型 ,并将它应用于山西神头泉的流量预测中 ,建立了神头泉流量的 GM( 1 ,1 )周期修正模型 ,对其流量进行了预测 ,为神头泉域岩溶水资源开发利用和保护提供了科学依据     

Belden CDT推出防侵入式连接器

Belden CDT网络部近日宣布推出新的防侵入式Optimax LC现场安装光纤连接器家族。此防侵入式Optimax LC连接器属于Belden IBDN FiberExpress光纤布线解决方案的一部分，是对最近推出的FiberExpress防侵入式LC系统的一个重要的补充。对于要求整系统防侵入，并且可在现场可靠地安装光纤布线系统．Optimax LC连接器家族将满足其需要。     

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.     

高电荷态Ar^q＋与Ne碰撞中入射离子电荷交换截面的研究

报道Ar^q Ne(q=8，9，11，12)碰撞体系中多电子转移过程，得到了多组实验测量电荷交换截面数据，讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系，并且将实验结果与Ar^q Ar碰撞体系进行对比研究。在修正分子库仑过垒模型的基础上，对实验现象做了合理的解释。     

等电荷态离子与He原子碰撞中的转移电离过程研究

采用位置灵敏探测和飞行时间技术测量了等电荷态离子C^q 、N^q 、O^q 、Ne^q (q=4，5，6，7)与He原子碰撞中，转移电离截面与单电子俘获截面的比值Ro研究了相同q入射的情况下，R与入射离子核电荷数Z的依赖关系。在统计蒸发模型的基础上对实验结果进行了解释。