排序方式: 共有119条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
廖先炳 《光纤光缆传输技术》1996,(2):1-3
介绍高速光纤系统室内使用的高带宽、大数值孔径的渐变折射率分布塑料光纤的制造以及解决渐变折射率分布塑料光纤高带宽和大数值孔径的措施。 相似文献
3.
日本NEC公司推出一种1吋超高分辨CCD图象传感器。该传感器具有独特的垂直溢(?)耗(?)(VOD)结构,该结构对抑制模糊现象有好的效果。另外,通过改进“LOCOS”单元分分离技术,扩大图象单元的有效面积。该传感器配有一个二元结构的水平读出记录器。这种图象传感器的主要技术条件和特性如下: 图象系统:内线转移系统CCD 相似文献
4.
最近美国麻省理工学院林肯实验室演示一种用于CCD寻址的多量子阱(MQW)空间光调制器的量子阱(QW)CCD。QWCCD的提出是由于光信号处理的关键器件——空间光调制器已阻碍着光信号处理技术的飞速发 相似文献
5.
引言半导体光发射器件和半导体光探测器件是光电子技术的重要组成部分。在高技术发展的今天,光电子技术己深入到各个领域,并已开始显示出它强大的生命力,在诸如光波空间通信、光纤通信、光电测距、夜视照明、光电传感、音频视频唱盘、激光印刷以及光信息处理和光计算机逻辑系统等方面,已开始逐步或即将进入实用化阶段。为了促使上述技术领域的发展,研究和开发新型的半导体光发射和探测器件是当务之急。本文就近五年(1983—1987)国内外有关研制、 相似文献
6.
7.
超高速半导体激光器组件调制带宽的研讨 总被引:1,自引:1,他引:0
本文叙述了影响超高速半导体激光器组件调制带宽的各种因素:激光器芯片的驰豫振荡频率;芯片及组件的寄生参量以及激光器匹配驱动电路的频率特性。文中还讨论了超高速半导体激光器组件的最佳设计。最后,讨论了进一步提高组件调制带宽的可能性。 相似文献
8.
欧姆接触技术在半导体激光器制作中占有十分重要的地位,按其理论分析了获得GaAs、InP激光器低欧姆接触方法,分析了影响欧姆接触电特性的主要因素。介绍了现今所采用的各种金属化系统,就近期在欧姆接触制作技术新动向、新工艺作了较详细介绍。 相似文献
9.
本文介绍采用杂质感应混乱(IID)制作隐埋异质结(BH)激光器的新颖技术,该技术对制作高性能隐埋异质结量子阱激光器是一种十分简便可行的方法. 相似文献
10.