微机械的三维微细加工技术

在微机械加工中,三维微细加工是不可缺少的。加工方式有复制掩模图使图形一次形成的方式和用聚焦光束等通过描绘使图形逐次形成的方式。这些方式被应用在立体微细加工或表面微细加工上,复制方式中,开发了作为立体加工的、可高速穿透蚀刻基板的低温高速反应离子蚀刻(RIE)技术和作为表面加工的投影光化学气相淀积(CVD)技术。描绘方式中,开发了作为立体加工的硅激光辅助蚀刻技术和作为表面加工的、可在非平面聚合物上形成金属配线的激光CVD技术。这些技术己被应用在微型传感器与微型致动器的制造上。     

存储器闪存领域展开低成本竞争通过集成ECC提高可靠性成为潮流

在成本竞争激烈的闪存领域，所发布的主要内容为使用多值技术、提高了集成度的数据存储用存储器。在DRAM和SRAM领域，发布的内容主要集中在高速化方面。在所有存储器中，片式ECC电路成为了此次会议的亮点。存储器的种类不同，使用ECC电路的目的也不同，ECC电路主要被应用于提高可靠性及数据的传输速率、降低待机时的消耗电流等方面。     

Pt羰基簇合物在NaY内的合成机理

利用IR，EXAFS, ~(13)CO同位素交换反应及与NO作用等手段研究了Pt羰基簇合物[Pt_3(CO)_6]~(2-)_n(n＝3,4)在NaY分子筛超笼内的合成机理．在氧化样品Pt~(2+)/NaY上300－373 K的还愿羰基化过程中，首先Pt~(2+)与CO反应生成PtO(CO)物种(波数σ_(CO)＝2110 cm~(-1))，然后聚集成“Pt_3(CO)_6”(σ_(CO)＝2112，1896和1841 cm~(-1))，最后生成深绿色的Pt羰基簇合物Pt_(12)(CO)_(24)]~(2-)/NaY(σ_(CO)＝2080，1824 cm~(-1))．“Pt_3(CO)_6”的羰基在室温下能迅速地与~(13)CO发生交换，而[Pt_3(CO)_6]~(2-)_n(n＝3,4)的羰基与~(13)CO的同位素交换即使在343 K也进行得很慢，室温下，NO能逐步破坏Pt羰基簇合物的层间和层内Pt－Pt键，得到中间物种“Pt_3(CO)_6”和PtO(CO)，同时在气相产生CO_2和N_2O．而由上述两中间物种出发，300－353 K温度下，在CO气氛中的还原羰基化又能可逆地得到原羰基簇合物．     

从《世阿弥传书》到《匠明》:能乐观演空间尺度体系的传承与演变

利用酰胺化反应在2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧自由基(TEMPO)分子的4位引入乙酰氨基和异烟酰氨基分别获得Acet-TEMPO和isoNTA-TEMPO分子.将Acet-TEMPO、 isoNTA-TEMPO和TEMPO分别与MIL-101(Fe)组成共催化体系,以苯甲醇选择性氧化为苯甲醛做模型反应,研究上述3种催化体系的催化性能.催化结果表明3种催化体系的催化活性顺序为:MIL-101(Fe)/isoNTA-TEMPO MIL-101(Fe)/Acet-TEMPOMIL-101(Fe)/TEMPO.通过对比实验和吸附实验表明isoNTA-TEMPO的吡啶官能团与MIL-101(Fe)的Fe簇配位作用是提高体系催化性能的关键因素.MIL-101(Fe)/isoNTA-TEMPO催化体系对各种芳香醇均表现出较好的催化性能,且催化剂能循环回收利用.     

基于关联规则和技术功效矩阵的企业技术创新机会发现和辅助决策方法

为助力科技型创新企业准确且快速地从外部捕获创新技术机会, 提出一种企业技术机会发现和辅助决策方法. 首先, 挖掘领域内的技术热点、技术重点和有潜力的技术作为领域技术创新机会. 然后, 通过关联规则分析领域技术机会和企业已有技术之间的相关性, 进一步结合技术掌握度和新颖度, 识别更适合企业的技术创新机会. 最后, 创新性地采用Sen-BERT语言模型和K-means聚类方法构建技术功效矩阵, 辅助企业从功能需求的角度进行技术创新决策. 以电动汽车领域为例验证了该方法的可行性.     

抗重影技术的最近动向

本文主要叙述电视广播中抗重影技术的研究与设备试制的最近动向,内容包括重影的测量和评定方法、电波吸收墙及超高频广播实用化等课题。     

激光焊接陶瓷技术

陶瓷的接合技术,如使用于宇宙联络飞船外壁耐热瓷砖的接合,已经研究和运用了各种方法。熔化陶瓷进行直接焊接,这种方法虽进行了多种试验,但是,由于没有具备高温的加热热源,所以不能实现。另外,把陶瓷作为耐热构件使用的时候,采用金属喷镀法、粘接、钎焊等方法时,由于受使用温度的制约,也不是充分的。为此,我们进行了这样的研究,即利用激光作为新的加热热源焊接陶瓷,并在实验室研究中证明这种焊接是可能的。以下介绍实验研究的结果。     

超高灵敏度摄象机（极微弱光摄象机）

1.前言作为在微弱光量下进行图象测量探测器(摄象管)的代表,可能会提到SIT管(Silicon Intensified Target)。SIT管的摄象极限,通常为10~(-4)lx量级,这种极限,已接近人眼在暗响应时的认别极限。而对于要求在更暗的极微弱光量下的图象测量,自然希望进一步扩展人的视觉功能。