超宽带大功率合成器设计北大核心CSCD

在80 MHz~1 GHz频段,单个功率管输出功率能达到100 W以上,为研制输出功率400 W的功率放大器,文中设计了四路功率合成器。该合成器需要实现功率容量大、工作频带宽、体积小的设计目标。在功率容量方面,文中采用悬置带状线结构,其功率容量远远大于微带线结构;在工作频带方面,采用切比雪夫九节阻抗变换器,将工作带宽拓宽为80 MHz~1 GHz;在体积方面,文中合成器的功率合成部分采用Y型节级联实现四路功率合成,阻抗变换部分采用切比雪夫阻抗变换器进行阻抗变换,该结构相较于磁环巴伦功率合成器,不但具有损耗小、平坦度高的优点,而且通过将阻抗变换器设计成曲折的形状,进一步缩小了合成器体积。仿真与实测结果显示该合成器在80 MHz~1 GHz范围内还具有较高的平坦度,合成效率可达90%以上。     

High-power and high-efficiency operation of an all-solid-state, quasi-continuous-wave, titanium sapphire laser system

High-power and high-efficiency operation of an all-solid-state, quasi-continuous-wave, titanium sapphire laser is obtained with a diode-laser-pumped frequency-doubled Nd:YAG laser as the pump source. A maximum output power of 2.5 W is obtained for 16-W power of 532-nm pump light. A much higher conversion efficiency of 15.7% is obtained when at the maximum output power.     

可实现大容量化的三维SOI MOS器件

业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1％。     

抽吸和压力梯度在层流边界层转捩过程中的作用

用空间模式的二次稳定性理论研究了抽吸和压力梯度对边界层三维亚谐扰动流动稳定性的影响．数值结果表明，固体边界上的抽吸有明显的层流控制作用，逆压梯度则有较强的不稳定作用．     

利用废物制造宝石新技术动态

珠宝钻玉是十分昂贵的稀有物质。如今,世界各地每年的天然宝石产量已远远不能满足珠宝市场的需求;而且,随着工业技术的发展,更需求多功能、高性能的宝石材料。为缓解市场的平衡,国外竞相开发人造宝石高新技术。据世界权威科学家们的估测:人造宝石产品将成为宝石应用领域主要来源,人造宝石技术也将在未来掀起热潮。 废烟人造钻石 最近,日本东海大学和东名钻石工业公司共同开发了用烟囱冒出的废烟合成钻     

Rh(Ⅰ),Co(Ⅰ)和Ru(Ⅱ)双齿磷氢化物的合成.结构表征和催化加氢活性

膦配位的过渡金属氢化物被看作是烯烃及其他一些不饱含有机化合物催化加氢反应及氢甲酰化反应的催化活性物种,关于它们的结构与催化活性关系的研究,有着重要的理论意义和实际意义,通常单齿膦配位表现出较高的催化活性,而不同的金属中心在催化活性和选择性上也表现出明显的差别,反映了催化功能与催化活性物种的电子结构和空间结构之间存在着依存关系.膦配体过渡金属氢化物,通常是以它们的相应卤化物经氢化锂铝或硼氢化钠或肼还原得     

Ti(O-i-Pr)4-NaNp-N2固氮体系在PtCl2(PPh3)2存在下和H2的反应

1975年Chatt等采用质子酸对稳定的钼钨分子氮络合物进行还原质子化反应,取得了生成氨的结果.我们在1979年开展了过渡金属氢化物与稳定和不稳定的分子氮络合物反应的研究,同样也取得了生成氨的结果.这个结果为在温和条件下H_2和配位氮分子氢化反应制取氨准备了实验基础.采用的稳定分子氮络合物有[Mo(N_2)_2(dppe)_2](Ⅰ),trans-[Mo(N_2)_2(PMePh_2)_4](Ⅱ);不稳定固氮体系有[Ti(O-i-Pr)_4-NaNp-N_2]