空间光通信中空间辐射对光纤放大器性能的影响

以60Co为辐射源, 通过地面辐射模拟实验, 对掺铒和铒镱共掺两种光纤放大器的性能变化进行了对比分析。实验结果表明, 在总剂量为40 krad的低剂量轨道辐射环境中, 信号光通过这两种光纤放大器后, 其中心波长及半宽都没有发生显著变化, 这为光纤放大器能够应用于空间光通信提供了保证; 在辐照过程中掺铒光纤放大器的增益下降3.91 dB, 而铒镱共掺光纤放大器的增益下降17.60 dB, 表明镱离子的存在使得铒镱共掺光纤放大器的抗辐射性能要明显弱于掺铒光纤放大器, 这也为不同发射功率下的空间光通信系统在选择合适类型的放大器时提供了一个有益的参考。     

半导体激光器辐射损伤对空间光通信误码率的影响

为了提高空间光通信系统的抗辐射性能,研究了半导体激光器的辐射损伤效应对空间光通信系统误码率的影响.在此基础上,进一步推导了半导体激光器辐射损伤对空间光通信系统误码率的影响模型.通过仿真研究,其结果表明:辐射对半导体激光器的输出光功率线性下降.误码率在1000Gy之前可以忽略影响,辐射至3000Gy之后对误码率的影响迅速...     

空间辐射环境对半导体激光器的影响

电子辐射是空间辐射环境的重要组成部分, 也是地面模拟空间辐射环境的重要手段。为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行性, 通过电子加速器的电子辐照模拟空间辐射环境, 以研究半导体激光器总剂量效应。实验结果表明, 半导体激光器的阈值电流随着辐照剂量的加大而增加, 斜率效率在106 rad之前随着辐射剂量的加大而略有增大。退火观测期间, 阈值电流在最初的两周内震荡变化, 总体趋势为增加, 直到两周后趋于稳定。对于接受辐射剂量较低的半导体激光器, 在实际使用中可以采用电流补偿的方法来消除辐射对其阈值及斜率产生的影响。     

空间沾染对黑体定标系统的影响分析

本文从典型的黑体定标系统出发,分析了空间系统由于直接暴露于轨道真空和热环境中,空间沾染物对黑体定标系统的光学表面的污染,导致空间黑体定标系统的性能发生改变的成因;建立了一套空间黑体定标系统沾染损伤分析模型,并初步计算了沾染对黑体定标系统的影响参数。通过对空间沾染源进行分类,讨论了内、外沾染源对空间黑体定标系统的影响诸要素,提出了保护空间黑体定标系统的一些建议。     

CMOS图像传感器的辐射实验

为了考察商用CMOS图像传感器应用于空间的可行性,对进行了空间辐射环境模拟实验研究.实验采用60Co-γ辐射源模拟空间辐射环境,辐射最大剂量为5× 104 rad(Si),辐射速率为1 Gy/s.在辐照时,根据实验需要在CMOS两端加偏置电压或不加偏置电压,并采用在线和离线测量相结合的方法.实验结果表明:辐射初期各项性...