排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 984 毫秒
1
1.
空间近日等强辐照造成的高温严重影响光伏电池的转化效率,同时造成辐射能量的浪费.以单晶Si光伏电池和Bi2Te3热电电池为基本单元,构建Si-Bi2 Te3光热耦合电源器件模型.采用有限元分析法分析特定辐射条件下Si-Bi2Te3光热耦合电源器件的热分布情况,并结合光伏电池与热电电池的温度特性进一步计算了器件的转化效率.结果显示,Bi2Te3热电池的存在一定程度上降低了Si光伏电池的工作温度,在空间环境下Si-Bi2Te3光热耦合电源器件的转化效率相对于单一的Si光伏电池有2% ~3%的提高.最后讨论了该器件Si光伏电池和Bi2Te3热电池的功率输出方式. 相似文献
2.
3.
用全带多粒子Monte Carlo方法模拟纤锌矿相(Wurtzite)GaN空穴输运特性的结果. 用经验赝势法计算得到能带结构数据. 模拟包含了声学声子散射,光学声子散射,极性光学声子散射,压电散射,电离杂质散射及带间散射等散射机理. 计算得到了空穴沿3个主要对称方向上的空穴平均漂移速度和平均能量与电场强度的关系曲线,室温下漂移速度呈现饱和特性. 在所研究的电场范围内,最大平均漂移速度约为6×106cm s-1,最大空穴平均能量约为0.12eV, 这些值均比电子的相应参数低很多. 还给出了空穴的扩散迁移率与杂质浓度关系的模拟结果.
关键词:
蒙特卡罗
氮化镓
输运特性
能带结构 相似文献
4.
用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管(SIT)的特性,给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果。模拟得到的SIT输出特性曲线呈现非饱和特性,即类三极管特性。当VGS=0,VDS=35 V时,漏源电流为47 A/cm,跨导为300 mS/mm,电流截至频率为150 GHz。结果表明该器件具有大电流、高跨导和高频工作的潜力。 相似文献
5.
在GaN NMOSFET中,沟道电子由于受垂直于其运动方向电场的作用而产生界面散射,从而影响MOSFET特性.研究采用Monte Carlo体模拟方法计算钎锌矿相GaN材料在界面散射下的电子输运特性.模拟中在电子漂移方向加一个水平电场,同时在与其垂直的方向加另外一个电场,在垂直电场作用下,电子发生界面散射.采用基于指数... 相似文献
6.
7.
采用基于密度泛函理论第一性原理方法, 研究了对称性为Pmn21的正交结构聚阴离子型硅酸盐Li2FeSiO4及其相关脱锂相LiFeSiO4的电子结构, 并进一步采用玻尔兹曼理论对其输运性质进行计算. 电荷密度分析表明, 由于强Si–O共价键的存在使Li2FeSiO4晶体结构在嵌脱锂过程中始终保持稳定, 体积变化率只有2.7%. 能带结构与态密度计算结果表明, 费米能级附近的电子结构主要受Fe-d轨道中电子的影响, Li2FeSiO4 的带隙宽度明显小于LiFeSiO4, 说明前者的电子输运能力优于后者. 输运性质计算表明, 电导率在300–800 K时对温度的变化并不敏感, 同时也证明了Li2FeSiO4晶体的电导率大于LiFeSiO4晶体, 与能带和态密度分析结论一致. 相似文献
8.
提出了一种低功耗的绝热JK触发器电路。在绝热AERL(Approved Energy Recovery Logic)反相器电路的基础上,提出了AERL反相器级联及AERL JK触发器的实现方法。在0.5微米PTM工艺下用Spice工具对提出的电路进行了模拟仿真。结果显示与传统的CMOS JK触发器和ECRL JK触发器相比,AERL JK触发器具有更低的功耗。 相似文献
1