含胺基功能性单体的聚合研究 Ⅴ.4-N,N-二甲胺基苯乙烯的合成及其作为氧化还原引发体系组分的研究

<正> 前文我们报告了含有芳香叔胺基的丙烯酸酯、甲基丙烯酸-4-N,N-二甲氨基苄酯(DMABMA)在过氧化二月桂酰(LPO)引发下的聚合动力学。从所得的聚合速度方程式及低的聚合活化能,认为DMABMA与LPO形成氧化还原体系而使DMABMA聚合,在本文第Ⅳ报中报道了DMABMA不仅能引发甲基丙烯酸甲酯的聚合,还参与聚甲基丙烯酸甲酯的链中,因此称这种既能参与引发聚合反应,又参与聚合物链中的引发“引发剂单体(initiatomer)”。这种含有可聚合胺引发体系的优点是,用于丙烯酸酯类医用     

新的场地确认方法——参考场地法

首先分析了归一化场地衰减法用于场地确认的缺点。为了克服这些缺点,CISPR 引入了新的场地确认方法——参考场地法(归一化场地衰减法的替换方法)。给出了参考场地法的原理和分析了其用于场地确认的优点。     

用于电磁兼容测试的双锥天线矩量法建模与计算

运用线天线矩量法,对电磁兼容测试中常用的工作在100 MHz左右的导线双锥天线进行分段,求得天线电流分布及辐射特性.     

中国移动本地传输网建设方案初探

本文在总结中国移动本地传输网规划实践经验的基础上,对中国移动本地传输网(后面简称移动城域传输网)的建设方案进行了初步探讨。通过分析移动本地传输网内目前所承载和未来将要承载的主要业务及其传输需求特性,提出了移动本地传输网分层建设的原则,并对各层所应采取的组网方案进行了归纳和总结。此外,文章还探讨了未来3G基站传输的问题,提出了一些可行的建设方案。     

CISPR 36:2020中磁场强度限值探究

为了理解CISPR 36:2020中规定的磁场强度限值,依据30 MHz以下辐射骚扰场强CISPR限值模型,根据电动车辆和混合动力车辆的实际使用和需要保护的无线电业务,对模型中的每个分量进行了详细的分析和研究,推导了CISPR 36:2020中30 MHz以下辐射骚扰磁场强度限值,帮助读者理解限值的来源和限值的推导。     

CISPR 2010年会主要技术内容

CISPR 2010年会于10月6日至14日在美国西雅图召开。本刊特邀参会的国内专家介绍各分会主要技术内容,帮助读者及时了解国际标准的进展。我们希望有更多的人关心和参与国内CISPR各分会的工作,共同推动国内EMC标准的发展。     

Buck变换器的输出短路火花放电能量及输出本质安全判据

为得出Buck变换器的输出本质安全判据, 基于安全火花试验装置, 对其输出短路火花放电特性进行了试验研究, 发现其放电过程可分为介质击穿、火花产生、火花维持和火花熄灭四个阶段.基于得出的火花放电特性, 对其输出短路火花放电能量进行了深入分析, 指出对于给定电感的Buck变换器, 当负载电阻 R_L小于给定电感对应的临界电阻R_LC时, 火花放电能量是关于R_L的凹函数; 而在R_L > R_LC时, 是关于R_L的凸函数.考虑到实际的参数取值范围, 进一步指出: R_L < R_LC时的火花放电能量随R_L的增加而增大, 且在R_L=R_LC时达到最大值; 而在R_L > R_LC时, 则随着R_L的增加, 先增大后减小, 在增加到特征电阻R_{L, DCM}时达到最大值. 得出了变换器在全动态范围内的最危险工况: 变换器在输入电压最高及负载电阻等于R_{L, DCM} 时工作于DCM, 此时, 短路火花放电能量达到最大值.基于能量等效, 提出了可模拟变换器输出短路放电特性的等效简单电容电路及输出本质安全判据, 仿真和试验结果验证了理论分析及所提出判据的正确性和可行性. 关键词： Buck变换器 本质安全 短路火花放电能量 输出本质安全判据     

基于MAX4456芯片的VGA矩阵切换系统的设计

文章介绍了一种以专用视频开关矩阵芯片MAX4 45 6、视频放大芯片MAX4 97为基础的VGA矩阵切换控制系统的软硬件设计。系统的信道带宽为 2 75MHz ,能够把计算机VGA信号进行重新分配和组合 ,广泛应用于监控、投影、演示等场合 ,具有实时状态显示、断电保护、远程控制等功能。     

线性代数中的Fitting定理及其应用

本文直接根据线性变换给出了Fitting定理的一个证明，并用它建立了定理1，从而得到一种在相似变换下化简的准对角矩阵，然后在定理2中讨论该准对角矩阵与Jrodan标准形的关系及其应用。     

深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究

研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。