富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

新型低驱动电压电子纸显示单元的研究

研制了一种基于介质上电润湿(electrowetting-on-dielectric,EWOD)的新型低驱动电压电子纸反射式显示单元器件.本文分析了器件的工作原理以及性能影响因素,并提出用优化的氮化硅与碳氟聚合物复合介质层来改善器件的驱动电压.实验证实,器件在15V低电压驱动下成功实现了"开启"、"关闭"功能,其"开启"、"关闭"响应时间小于1/30s.     

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展北大核心CSCD

由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十几年来SiC GTO的研究进展,在介绍SiC GTO的等效模型和工作原理的基础上,重点介绍了SiC GTO在阻断电压、传导电流、正向压降和载流子寿命调控等方面的研究现状,详细讨论了提高SiC GTO阻断性能的5种不同的结终端技术和实现载流子寿命调控的具体方法,给出了典型SiC GTO器件的传导电流和正向压降,并对影响CTO性能的主要因素进行了分析。同时,对SiC GTO的未来发展趋势进行了展望。     

POP型SiC JBS二极管结构的改进与性能优化北大核心CSCD

为了进一步提高SiC JBS的反向击穿特性和BFOM值,对POP型SiC JBS结构进行了重要改进。虽然它们都是采用外延的方法在一个较窄的轻掺杂P阱上面再制作一个较宽的重掺杂P区,但是改进的结构在二者的界面附近存在一段等宽区,即P阱的上半部分与重掺杂P区同宽,从而大幅度降低重掺杂P区的边缘电场集中效应以提高击穿电压。通过理论分析与MEDICI软件仿真,深入探讨了这种结构变化对器件性能的影响。结果表明,在不增加额外工艺的情况下,改进的结构可大幅度提高BFOM和击穿电压。     

Cr/蓝宝石界面的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发的方法在２００℃抛光的取向的蓝宝石衬底上淀积２００ｎｍ的Ｃｒ,并在高真空中退火。利用ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术对样品进行了深度剖析,给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。并在８５０退火样品观测一种新的界面结构。     

基于介质上电润湿的液滴产生器的研究

根据介质上电润湿的基本原理,对用于数字微流控系统的"三明治"结构器件中影响液滴输运和产生的因素进行了理论分析,并研制出了一种新型液滴产生器原型:液体被夹在上下两个电极板之间;下极板采用硅作为衬底、LPCVD掺杂多晶硅微电极阵列上热氧化生长的的SiO2薄膜作为介质层;上极板采用ITO透明导电玻璃板作为地电极;另外,在上下极板的表面都均匀旋转涂覆了一层30 nm厚的Teflon薄膜为表面疏水层.实验结果表明,在空气气氛中,该器件在10 Hz 70 V的脉冲电压下成功地实现了从蓄水池中对去离子水滴的分发.     

Ti与莫来石陶瓷衬底的界面反应

在抛光的200℃莫来石陶瓷衬底上电子束蒸发淀积200nm的Ti膜，并在高真空中退火，利用二次离子质谱（SIMS）、俄歇电子能谱（AES）和X射线衍射分析（XRD）研究了从200—650℃Ti与莫来石的固相界面反应．结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ti与衬底表面的氧形成Ti—O键，并有微量元素态Al，Si原子析出，界面区很窄；450℃，1h退火后，界面区有所展宽，但变化不大；650℃，1h退火后，界面发生强烈反应，样品主要由TiO＋Ti，Ti₃Al，Ti₃Al＋TiSi₂和莫来石陶瓷衬底四层结构组成 关键词：     

集成MOS力敏运放压力传感器

设计并制作出一种新型集成压力传感器——集成MOS力敏运放压力传感器．它将运算放大器中的一对PMOS差分输入管集中设置在N型(100)Si膜片上的最大应力区，并使它们的沟道方向相互垂直，运放中其它元件全部集中设置在厚体硅上的低应力区．在压力作用下，输入级MOS 管沟道中载流子迁移率发生变化，运算放大器以其为输入信号而产生力敏输出．这种压力传感器具有很高的压力响应灵敏度，可望在诸多领域有广泛应用．