ULSI中低k介质的化学机械全局平坦化分析研究

针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。     

A 10-bit 80-MS/s opamp-sharing pipelined ADC with a switch-embedded dual-input MDAC

A 10-bit 80-MS/s opamp-sharing pipelined ADC is implemented in a 0.18-μm CMOS.An opampsharing MDAC with a switch-embedded dual-input opamp is proposed to eliminate the non-resetting and successive-stage crosstalk problems observed in the conventional opamp-sharing technique.The ADC achieves a peak SNDR of 60.1 dB(ENOB = 9.69 bits) and a peak SFDR of 76 dB,while maintaining more than 9.6 ENOB for the full Nyquist input bandwidth.The core area of the ADC is 1.1 mm~2 and the chip consumes 28 mW with a 1.8 V power supply.     

基于0.18μm CMOS工艺的 0.23pJ/step 11.05bit 有效位 125MS/s 流水线型模数转换器

本文描述了一款基于0.18μm标准CMOS工艺设计的12位 125-MS/s 的流水线型模数转换器。为了提高采样的线性度,采用了栅压自举开关和底极板采样技术。其微分非线性和积分非线性分别为0.79 LSB和0.86 LSB。在输入频率为10.5MHz时,本模数转换器可以实现11.05bit的有效位,在输入频率接近奈奎斯特频率时,仍可以达到10.5 bit的有效位。本模数转换器工作电压为1.9V,功耗62 mW,面积1.17 mm2,其中包含片内参考电压产生电路。本模数转换器的FOM值为0.23 pJ/step。     

IC制备中钨插塞CMP技术的研究

对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化(CMP)的原理及工艺进行了分析,对钨抛光浆料的组成成分进行了研究,开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料,并对钨抛光浆料今后的发展进行了展望.     

一种采用开关内置双输入MDAC的10b 80 MS/s 运放共享流水线模数转换器

在0.18-μm CMOS工艺下设计了一种10位80MHz采样频率的运放共享流水线模数转换器,提出了一种开关内置的双输入运放共享的MDAC,从而有效的消除了传统结构存在的无法复位和级间干扰通路的问题。测试结果显示,本设计的模数转换器的SNDR可以达到60.1dB,无杂散动态范围可以达到76dB,有效位为9.69 bit,在整个奈奎斯特带宽内有效位均高于9.6bit。芯片核心面积为1.1 mm2,在1.8 V电源电压下功耗为28mW。