大气折射率波动引起的SAR成像误差分析

合成孔径雷达(SAR)成像中通常默认大气折射率为1,即电磁(EM)波速率等于自由空间光速且忽略大气吸收特性,但实际存在的吸收会减弱入射功率,电磁波速率的变化会引起相位误差,从而影响图像重建.该文定量分析电磁波速率波动和大气吸收对雷达图像的影响,理论推导得出大气吸收会导致振幅误差,表现为散射点在图像中的重建幅度误差;电磁波速率波动会导致相位误差,表现为散射点在图像中的重建位置误差.仿真实验验证了误差分析的正确性.该分析进一步完备了SAR成像误差分析,有助于SAR图像正确解译.     

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.     

周期性缺陷接地结构的微带线

基于单元缺陷接地结构(DGS)等效电路模型,研究了周期性缺陷接地结构微带线的色散关系,并给出其阻带的快速估算方法.为提高微波电路的集成度和灵活性,提出了基于周期性DGS结构弯折型微带线,分析其带阻特性、色散特性和阻抗特性.实验证明,该结构在4～7GHz之间具有良好的宽阻带特性.     

Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取

对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz.     

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法，首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构，并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路. 探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法，设计了工艺流程. 讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素，并给出了结构实现的工艺控制要求.     

低功耗CMOS限幅放大器设计

利用0.18μm CMOS工艺设计了应用于光接收机中的10Gb/s限幅放大器.此限幅放大器由输入缓冲,4级放大单元,一级用于驱动50Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路构成.输入动态范围为38dB(10mV～800mV),负载上的输出限幅在400mV,在3.3V电源电压下,功耗仅为99mW.整个芯片面积为0.8×1.3mm2.     

基于表面势的HEMT模型分析

将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。     

Scalable modeling and comparison for spiral inductors using enhanced 1-π and 2-π topologies

Two different scalable models developed based on enhanced 1-πand 2-πtopologies are presented for onchip spiral inductor modeling.All elements used in the two topologies for accurately predicting the characteristics of spiral inductors at radio frequencies are constructed in geometry-dependent equations for scalable modeling.Then a comparison between the 1-πand 2-πscalable models is made from the following aspects:the complexity of equivalent circuit models and parameter-extraction procedures,scalable rul...     

BaTiO3铁电体中辐射位移效应的分子动力学模拟

运用基于壳模型的分子动力学方法研究了BaTiO₃铁电体中的辐射位移效应.采用O原子作为初级击出原子,模拟了当初级击出原子能量为1 keV时体系内缺陷的产生和演化.模拟结果表明,当入射方向为[001]时,体系内产生的缺陷最多.在所有缺陷中,以O缺陷的含量为最高,达80%以上.同时,这些缺陷的产生并不显著改变体系的自发极化强度,对体系的极化翻转过程也基本没有影响.在外电场作用下,观察到了显著的缺陷迁移. 关键词： 分子动力学 3铁电体')" href="#">BaTiO₃铁电体 辐射位移效应     

电子类EDA教学中引入MPW计划的研究与实践

EDA技术的快速发展，给我国高校电子技术教学带来严峻挑战。如何使高校培养的EDA人才符合市场需求，是现代EDA教学改革的目标。论文首先分析了现代EDA教学现状，介绍了MPW的基本概念及国内外MPW计划的实施情况，然后提出在本科电子类EDA教学中结合科研项目，引入MPW计划的必要性和可行性，并以多年来我校工程实践和毕业设计实践说明MPW计划在现代电子设计教学和人才培养中的作用。